[发明专利]一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202010591737.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113830757A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;王山林 | 申请（专利权）人： | 四川烯时代新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/192 | 分类号： | C01B32/192;C01B32/23 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 石墨 经插层后热 剥离 制备 缺陷 方法 | ||
1.一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:在常温条件下，向盛有浓硫酸的反应器中按照鳞片石墨:浓硫酸=1 Kg:50 L的比例加入鳞片石墨，搅拌反应2～8h，然后按照鳞片石墨与高锰酸钾的质量比为1:1的比例缓慢加入高锰酸钾粉末，搅拌反应2～5h获得低氧化石墨混酸液；
S2:直接向S1的低氧化石墨混酸液中按照鳞片石墨: H2O2 =1 Kg:10～100L的比例加入H2O2溶液，充分搅拌反应0.5～5h，反应完全之后，再经过滤、洗涤液洗涤获得膨胀氧化石墨；
S3:将步骤S2的膨胀氧化石墨在气氛条件下高温膨胀剥离得到所述的低缺陷石墨烯。
2.根据权利要求1所述的低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，其特征在于，步骤1所述的常温条件为0～40℃。
3.根据权利要求1所述的低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，其特征在于，步骤2所述的H2O2浓度为1％～50％。
4.根据权利要求1所述的低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，其特征在于，步骤2所述的洗涤液为浓度为30％的过氧化氢、草酸、醋酸、柠檬酸、乙醇、乙醚或维生素C溶液中任一种。
5.根据权利要求1所述的低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，其特征在于，步骤3所述的气氛条件为氮气、氩气、氦气和氖气中的任一种，高温条件为300～1500℃。
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