[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括衬底和位于所述衬底上的有源层，其中，所述有源层包括层叠设置的多层氧化物，所述多层氧化物包括沟道层、过渡层和第一阻挡层，所述沟道层为所述多层氧化物中载流子迁移率最大的层，所述沟道层为结晶氧化物层或者非晶氧化物层，所述过渡层直接接触所述沟道层，所述第一阻挡层为所述多层氧化物中的最外层氧化物，所述第一阻挡层和所述过渡层都为结晶氧化物层，所述第一阻挡层和所述过渡层的结晶化程度都大于所述沟道层的结晶化程度，所述第一阻挡层和所述过渡层的带隙都大于所述沟道层的带隙。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述多层氧化物的坡度角为25°-65°。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述过渡层为位于所述沟道层和所述第一阻挡层之间的第一匹配层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一匹配层的载流子浓度介于所述沟道层的载流子浓度和所述第一阻挡层的载流子浓度之间。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一匹配层的载流子迁移率介于所述沟道层的载流子迁移率和所述第一阻挡层的载流子迁移率之间。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一匹配层的厚度和所述沟道层的厚度都小于所述第一阻挡层的厚度。

7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一匹配层和所述沟道层包括的金属元素的种类相同，并且所述第一匹配层和所述沟道层包括的所述金属元素的原子数量比相同。

8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一阻挡层与所述第一匹配层包括的金属元素的种类相同，并且所述第一匹配层和所述第一阻挡层包括的所述金属元素的原子数量比不同。

9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第一匹配层和所述第一阻挡层都位于所述沟道层的背离所述衬底的一侧；

所述沟道层为非晶或结晶的IGZO层，所述第一匹配层和所述第一阻挡层都为结晶的IGZO层，所述沟道层和所述第一匹配层中In:Ga:Zn为4:2:3，并且所述第一阻挡层中In:Ga:Zn为1:3:6。

10.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述多层氧化物还包括第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述沟道层的面向所述衬底的一侧，所述第一阻挡层位于所述沟道层的背离所述衬底的一侧，所述第二阻挡层的带隙大于所述沟道层的带隙。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述第二阻挡层为结晶氧化物层，所述第二阻挡层的结晶化程度大于所述沟道层的结晶化程度；

所述第二阻挡层和所述沟道层包括的金属元素的种类相同，并且所述第二阻挡层和所述沟道层包括的所述金属元素的原子数量比相同。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道层为结晶或非晶的IGZO层，所述第二阻挡层、所述第一匹配层和所述第一阻挡层都为结晶的IGZO层，所述第二阻挡层、所述沟道层和所述第一匹配层中In:Ga:Zn为4:2:3，并且所述第一阻挡层中In:Ga:Zn为1:3:6。

13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述多层氧化物还包括第二匹配层，所述第二匹配层位于所述沟道层和所述第二阻挡层之间，所述第二匹配层为结晶氧化物层，并且所述第二匹配层的结晶化程度介于所述沟道层的结晶化程度和所述第二阻挡层的结晶化程度之间；所述第二匹配层、所述沟道层和所述第一匹配层包括的金属元素的种类相同且原子数量比相同。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第二匹配层的厚度大于所述第一匹配层的厚度。