[发明专利]加热处理装置以及加热处理方法在审
申请号: | 202010592474.5 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112185847A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 高木慎介;久我恭弘;大塚幸信;相良慎一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种加热处理装置,其在处理容器内对形成有涂布膜的基板进行加热,其特征在于,
该加热处理装置具有:
载置部,其设于所述处理容器内,用于载置所述基板;
加热部,其用于对载置于所述载置部的基板进行加热;
抽吸管,其与形成于所述载置部的抽吸口相通,贯穿所述载置部并向正下方延伸;以及
收集容器,其设于所述抽吸管和抽吸机构之间的抽吸路径,
所述收集容器构成为,设于俯视时所述载置部的正下方,与所述抽吸管连接,用于收集所述处理容器内的升华物。
2.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器与所述抽吸管连接,且卸下自如。
3.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
在所述收集容器内设有在来自于所述抽吸管的气流流过时使压力损失增大的流路。
4.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器具有:
第1空间,来自于抽吸管的气流首先流过该第1空间,且在该第1空间压力损失相对较小;以及
第2空间,其与所述第1空间连通,与所述第1空间相比压力损失相对较大。
5.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器具有:
多个连接口,其以在所述收集容器沿周向排列的方式与多个所述抽吸管连接;以及
流路,其呈螺旋状,在所述收集容器内形成在比所述多个连接口靠中央侧的位置。
6.根据权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置具有升降机构,该升降机构使所述收集容器升降而连接所述收集容器和所述抽吸管之间以及解除所述收集容器和所述抽吸管之间的连接。
7.根据权利要求6所述的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置具有接收部,该接收部能够在所述收集容器从与所述抽吸管连接的位置下降而成为解除与所述抽吸管之间的连接的状态的位置载置所述收集容器。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器具有对所述收集容器进行加热的加热机构。
9.根据权利要求1~7中任一项所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器具有对所述收集容器进行冷却的冷却部。
10.根据权利要求1~7中任一项所述的加热处理装置,其特征在于,
所述收集容器具有对收集到的升华物进行分解的催化剂。
11.根据权利要求1~7中任一项所述的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置具备气体供给口,该气体供给口设于在所述载置部载置的所述基板的侧方,并朝向所述基板和载置部之间供给气体。
12.根据权利要求11所述的加热处理装置,其特征在于,
所述气体供给口设于比在所述载置部载置的所述基板的上表面低的位置。
13.根据权利要求11所述的加热处理装置,其特征在于,
在所述气体供给口的上侧设有朝向所述载置部侧延伸的整流体。
14.根据权利要求1~7中任一项所述的加热处理装置,其特征在于,
该加热处理装置还具有:
抽吸机构,其进行抽吸;以及
控制部,所述控制部在对所述基板进行加热的后期控制抽吸机构以使抽吸力减弱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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