[发明专利]具有低密度柱状结构的有机/无机杂化化合物

权利要求书

1.一种有机/无机杂化化合物包括：

两个无机物层，设置成分别在一方向上延伸并彼此面对；以及

有机物层，设置于所述两个无机物层之间，

其中，所述两个无机物层的每一个具有其中二价阳离子金属被掺杂在八面体位置(octahedral site)的三水铝石结构，

所述有机物层包括复数的柱部，所述复数的柱部与所述每个无机物层化学结合并将所述两个无机物层彼此连接。

2.根据权利要求1所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述有机物层包括复数的柱部，所述复数的柱部被设置成在所述两个无机物层之间在与所述两个无机物层所延伸的方向交叉的方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述二价阳离子以配位键结合于存在于所述八面体位置周围的所有六个氧原子，且还通过静电引力与存在于所述有机物层的阴离子结合。

4.根据权利要求1所述的有机/无机杂化化合物，其中，所述有机物层与所述每个无机物层形成氢键。

5.根据权利要求1所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述有机/无机杂化化合物由以下化学式1表示：

[化学式1]

[M^(Ⅱ)_xM^(Ⅲ)(OH)₃]^2x+(A^2-)_x

其中，M^(Ⅱ)为二价金属阳离子，M^(Ⅲ)为三价金属阳离子，A^2-为二羧酸离子，且0x0.2。

6.根据权利要求5所述的有机/无机杂化化合物，其中，在所述化学式1中，0.03≤x≤0.150。

7.根据权利要求6所述的有机/无机杂化化合物，其中，所述M^(Ⅱ)包括Zn²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Cu²⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺，或其组合。

8.根据权利要求6所述的有机/无机杂化化合物，其中，所述M^(Ⅲ)包括Al³⁺、Fe³⁺、Cr³⁺、B³⁺、Ga³⁺、In³⁺、Y³⁺，或其组合。

9.根据权利要求5所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述A^2-为衍生自对苯二甲酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、2-甲基戊二酸、3-甲基戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸、十四烷二酸、富马酸、2,2-二甲基戊二酸、马来酸、丁炔二酸、戊烯二酸、2-癸烯二酸、创伤酸、己二烯二酸、粘叶莸酸、柠康酸、甲基富马酸、亚甲基丁二酸、丙醇二酸、中草酸、苹果酸、酒石酸、草酰乙酸、天冬氨酸、谷氨酸、二氨基庚二酸、糖二酸、2,6-萘二羧酸，或其组合中的二价阴离子。

10.根据权利要求1所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述有机/无机杂化化合物为由以下式1表示的柱密度为个至个的有机/无机杂化化合物：

[式1]

柱密度＝单个有机物层中的柱部总数/单个无机物层的平面表面积。

11.根据权利要求10所述的有机/无机杂化化合物，其中，

所述有机/无机杂化化合物为由所述式1表示的柱密度为个至个的有机/无机杂化化合物。