[发明专利]含荧光材料的背电极和钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202010593745.9 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111477750A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 材料 电极 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种含荧光材料的背电极,其特征在于,其制备材料包括金属材料和荧光材料,金属材料与荧光材料通过共蒸发方式相互掺杂在一起,在背电极中掺杂的荧光材料占金属材料的0.05wt%~10wt%,金属材料包括银、金、铜、铝中任意一种金属,荧光材料包括荧光染料或荧光量子点,荧光染料包括有机荧光材料,荧光量子点为具有核壳结构的钙钛矿量子点。
2.如权利要求1所述的含荧光材料的背电极,其特征在于,有机荧光材料包括恶二唑及其衍生物类、三唑及其衍生物类、罗丹明及其衍生物类、香豆素类衍生物、1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物、卟啉类化合物、咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物、苝类衍生物中任意一种;荧光量子点包括有二氧化硅或氮化硼包覆的钙钛矿量子点材料,钙钛矿量子点材料包括MAPbX3、FAPbX3、CsPbX3、CsSnX3、MA3Bi2X9、Cs3Sb2X9、Cs2AgSbX6、Cs3Bi2X9中任意一种,其中X为Cl-、Br-或I-。
3.如权利要求1所述的含荧光材料的背电极,其特征在于,金属材料与荧光材料在共蒸发时,金属材料蒸镀速率为1Å/s~10Å/s,荧光材料蒸镀速率为0.1Å/s~3Å/s,最终掺杂的荧光材料占金属材料的0.05wt%~10wt%。
4.一种如权利要求1或2所述的含荧光材料的背电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将金属材料和荧光材料作为不同的蒸发源放入蒸发设备中进行蒸发,控制金属材料蒸镀速率为1Å/s~10Å/s,荧光材料蒸镀速率为0.1Å/s~3Å/s,最终得到含荧光材料的背电极。
5.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其内部结构包括第一载流子传输层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层和背电极,其中,所述背电极采用如权利要求1至3中任意一项所述的含荧光材料的背电极。
6.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其内部结构包括第一载流子传输层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层和背电极,其中,所述背电极使用如权利要求4所述的含荧光材料的背电极的制备方法制备的背电极。
7.一种如权利要求5或6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、对含导电层的基底进行P1划线,将导电层切割分块;
步骤二、在导电层上依次制备第一载流子传输层和钙钛矿吸光层,并进行P2划线,露出导电层;
步骤三、在钙钛矿吸光层上制备含荧光材料的背电极,对背电极进行P3划线,露出导电层,最后制备得到钙钛矿太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州纤纳光电科技有限公司,未经杭州纤纳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010593745.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择