[发明专利]熔窑鼠洞的修补方法在审
申请号: | 202010594314.4 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111747633A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 曾玉立;龙冬瑶;许检荣 | 申请(专利权)人: | 株洲醴陵旗滨玻璃有限公司;河源旗滨硅业有限公司;郴州旗滨光伏光电玻璃有限公司 |
主分类号: | C03B5/00 | 分类号: | C03B5/00;C03B5/43;C04B35/66;C04B35/14 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 徐进之 |
地址: | 412200 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔窑鼠洞 修补 方法 | ||
1.一种熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,包括:
对照熔窑鼠洞的形状裁切一块核心砖,所述核心砖略小于所述熔窑鼠洞;
将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内,所述核心砖与所述熔窑鼠洞之间形成填充间隙;
采用骨架料对所述填充间隙进行填充;
采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充,并将热补料捣实、规整;
维持所述核心砖的悬吊状态,观察所述热补料粘结情况,若所述热补料粘结完整且修补部位不再发红,方可将所述核心砖上的悬挂部件拆除。
2.如权利要求1所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述核心砖的顶部设置有用于悬挂的吊环。
3.如权利要求1所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述核心砖包括零膨胀硅砖,所述零膨胀硅砖在1000℃温度下的线膨胀系数α≤0.2%/℃。
4.如权利要求3所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述零膨胀硅砖的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥99%,Al2O3≤0.3%,Fe2O3≤0.1%。
5.如权利要求1所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述骨架料包括耐火绳、耐火球、耐火弧砖等。
6.如权利要求5所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述耐火绳为多晶硅绳,所述多晶硅绳的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥98.5%,Al2O3≤0.5%,CaO≤0.3%,MgO≤0.4%,Na2O≤0.3%。
7.如权利要求1所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述热补料包括硅质热补料,所述硅质热补料呈泥状。
8.如权利要求7所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,在所述采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充的步骤之前,还包括:将硅质粉末物料与工业磷酸混合搅拌,配制所述硅质热补料。
9.如权利要求8所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述硅质粉末物料与工业磷酸的质量比为4~3:1,其中,工业磷酸的质量浓度为85%。
10.如权利要求8所述的熔窑鼠洞的修补方法,其特征在于,所述硅质粉末物料以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥95%。
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