[发明专利]基板输送装置以及基板输送方法

说明书

本发明提供基板输送装置以及基板输送方法。使借助中间室连结了多个真空输送室的基板输送装置小型化。基板输送装置输送基板，具有：多个真空输送室，均在内部设有保持基板并对其进行输送的基板输送机构；和中间室，配设在互相相邻的所述真空输送室之间，在将所述互相相邻的所述真空输送室中的一者设为第1真空输送室、将另一者设为第2真空输送室时，在所述中间室和所述第1真空输送室之间设有第1基板送入送出口，在所述中间室和所述第2真空输送室之间设有第2基板送入送出口，针对所述第1基板送入送出口和第2基板送入送出口中的仅所述第2基板送入送出口配设闸阀，所述第1基板送入送出口和所述第2基板送入送出口在高度方向上的位置不同。

技术领域

本公开涉及基板输送装置以及基板输送方法。

背景技术

在专利文献1中公开了具有四个用于PVD工序等的工艺腔室的集束型设备群(日文：マルチクラスタツール)。在该集束型设备群，包含机器人晶圆输送机构的第1传送空间和第2传送空间借助预清洗腔室连结。预清洗腔室也作为在第1传送空间和第2传送空间之间进行晶圆输送的通行腔室来使用。

专利文献1：日本特开2001-319842号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的技术使借助中间室连结了多个真空输送室的基板输送装置小型化。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的基板输送装置，其用于输送基板，该基板输送装置具有：真空输送室，其具有多个，该真空输送室在内部设有保持基板并对其进行输送的基板输送机构；以及中间室，其配设在互相相邻的所述真空输送室之间，在将所述互相相邻的所述真空输送室中的一者设为第1真空输送室、将另一者设为第2真空输送室时，在所述中间室和所述第1真空输送室之间设有第1基板送入送出口，在所述中间室和所述第2真空输送室之间设有第2基板送入送出口，针对所述第1基板送入送出口以及第2基板送入送出口中的仅所述第2基板送入送出口配设闸阀，所述第1基板送入送出口和所述第2基板送入送出口在高度方向上的位置不同。

发明的效果

根据本公开，能够使借助中间室连结了多个真空输送室的基板输送装置小型化。

附图说明

图1是表示包括真空输送装置的处理系统的一例的概略俯视图，该真空输送装置为本实施方式的基板输送装置。

图2是中间室及其周围的纵剖视图。

图3是温度调节室及其周围的纵剖视图。

图4是中间室、温度调节室及它们周围的包含图2的A-A截面、图3的C-C截面的横剖视图。

图5是中间室、温度调节室及它们周围的包含图2的B-B截面、图3的D-D截面的横剖视图。

具体实施方式

在半导体器件等的制造工艺中，例如，对半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)的成膜处理等各种处理在单独的真空处理室内进行。根据需要对一张晶圆进行多次成膜处理等。因此，以提高生产率等作为目的，存在有一种这样的处理系统：分别进行相同或不同的多个处理的真空处理室借助共通的真空输送装置相互连接，从而不会使晶圆暴露于大气地连续地进行各种处理。真空输送装置是指在真空气氛下输送晶圆的装置。

在上述的处理系统，作为真空输送装置，有时使用借助中间室连结了多个真空输送室的装置，各真空输送室设有保持晶圆并对其进行输送的输送机构。例如，在专利文献1的集束型设备群，包含机器人晶圆输送机构的第1传送空间和第2传送空间借助也作为通行腔室使用的预清洗腔室连结。