[发明专利]介电组合物、介电材料和多层电子组件有效
申请号: | 202010596105.3 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112542317B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 朴宰成;金亨旭;权亨纯;金锺翰;金正烈 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;宋天丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组合 材料 多层 电子 组件 | ||
1.一种介电组合物,包括:
主成分,包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一种;
第一副成分,包含稀土元素;以及
第二副成分,包含可变价受体元素和固定价受体元素中的至少一种,
其中,当所述稀土元素的含量之和被定义为DT,所述可变价受体元素和所述固定价受体元素的含量之和被定义为AT,并且Ba和Ca的含量之和被定义为Ba+Ca时,(DT/AT)/(Ba+Ca)满足大于0.5且小于6.0,
其中,所述稀土元素包含La,并且La的含量与所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT满足大于或等于0.1且小于1.0。
2.如权利要求1所述的介电组合物,其中,所述稀土元素还包含Y、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,并且
La的含量与所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT满足大于或等于0.1且小于或等于0.75。
3.如权利要求1所述的介电组合物,其中,相对于100mol的所述主成分,所述第一副成分包含在0.2mol至4.0mol的范围内的含有所述稀土元素的氧化物或碳酸盐。
4.如权利要求1所述的介电组合物,其中,所述可变价受体元素包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种,并且
所述固定价受体元素包含Mg和Zr中的至少一种。
5.如权利要求1所述的介电组合物,其中,相对于100mol的所述主成分,所述第二副成分包含在0.01mol至4.0mol的范围内的含有所述可变价受体元素和所述固定价受体元素中的至少一种的氧化物或碳酸盐。
6.如权利要求1所述的介电组合物,其中,所述介电组合物还包含第三副成分,所述第三副成分是包含Ba的氧化物或碳酸盐,
其中,相对于100mol的所述主成分,被包含的所述第三副成分的量在0.37mol至4.0mol的范围内。
7.如权利要求1所述的介电组合物,其中,所述介电组合物还包含第四副成分,所述第四副成分是包含Si和Al中的至少一种的氧化物与包含Si的玻璃化合物中的至少一种,
其中,相对于100mol的所述主成分,被包含的所述第四副成分的量在0.5mol至7.0mol的范围内。
8.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层和内电极;以及
外电极,设置在所述主体上并且连接到所述内电极,
其中,所述介电层包含介电组合物,
其中,所述介电组合物包括:
主成分,包括BaTiO3、(Ba,Ca)(Ti,Ca)O3、(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3、Ba(Ti,Zr)O3和(Ba,Ca)(Ti,Sn)O3中的至少一种;
第一副成分,包含稀土元素;以及
第二副成分,包含可变价受体元素和固定价受体元素中的至少一种,并且
当将所述稀土元素的含量之和定义为DT,将所述可变价受体元素和所述固定价受体元素的含量之和定义为AT,并且Ba和Ca的含量之和被定义为Ba+Ca时,(DT/AT)/(Ba+Ca)满足大于0.5且小于6.0,
其中,所述稀土元素包含La,并且La的含量与所述稀土元素的含量之和DT的含量比La/DT满足大于或等于0.1且小于1.0。
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