[发明专利]一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法有效

专利信息
申请号: 202010596242.7 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN111707360B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 李淼淼;胡红坤;华勇;张鸿举;吴巧 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J1/44
代理公司: 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 代理人: 袁泉
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 调制器 电压 测量方法
【权利要求书】:

1.一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1、将待测M-Z型光强度调制器的输入光口通过光纤连接至光源,输出光口通过光纤连接至光功率计,电压端口电连接至波形发生器;

步骤S2、通过波形发生器对待测M-Z型光强度调制器施加直流偏压,调节直流偏压使待测M-Z型光强度调制器的输出光功率位于极大值区域,所述极大值区域为输出光功率值大于半功率点的区域;其中,对待测M-Z型光强度调制器施加直流偏压后,其两臂光路产生的相位差θ满足以下条件:

cos(θ)≠0;

步骤S3、调节波形发生器的输出信号,使其在当前输出直流偏压的基础上叠加一个峰峰值为0的方波信号;

步骤S4、逐渐增大方波信号的峰峰值,使光功率计的显示值逐渐减小,当光功率计的显示值减小至极小值时,记录方波信号当前的峰峰值;

步骤S5、根据记录的方波信号当前的峰峰值计算待测M-Z型光强度调制器的半波电压。

2.根据权利要求1所述的一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,所述方波信号的频率大于光功率计的采样频率。

3.根据权利要求1所述的一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,在所述步骤S5中,计算待测M-Z型光强度调制器的半波电压的公式为:

其中,Vπ表示待测M-Z型光强度调制器的半波电压,Vppπ表示在执行步骤S4时记录的方波信号的峰峰值。

4.一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1'、将待测M-Z型光强度调制器的输入光口通过光纤连接至光源,输出光口通过光纤连接至光功率计,电压端口电连接至波形发生器;

步骤S2'、通过波形发生器对待测器件施加直流偏压,调节待测M-Z型光强度调制器的输出光功率位于极小值区域,所述极小值区域为输出光功率值小于半功率点的区域;其中,对待测M-Z型光强度调制器施加偏置电压后,其两臂光路产生的相位差θ满足以下条件:

cos(θ)≠0;

步骤S3'、调节波形发生器的输出信号,使其在当前输出直流偏压的基础上叠加一个峰峰值为0的方波信号;

步骤S4'、逐渐增大方波信号的峰峰值,使光功率计的显示值逐渐增大,当光功率计的显示值增大至极大值时,记录方波信号当前的峰峰值;

步骤S5'、根据记录的方波信号当前的峰峰值计算待测M-Z型光强度调制器的半波电压。

5.根据权利要求4所述的一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,所述方波信号的频率大于光功率计的采样频率。

6.根据权利要求4所述的一种M-Z型光强度调制器半波电压的测量方法,其特征在于,在所述步骤S5'中,计算待测M-Z型光强度调制器的半波电压的公式为:

其中,Vπ表示待测M-Z型光强度调制器的半波电压,Vppπ'表示在执行步骤S4'时记录的方波信号的峰峰值。

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