[发明专利]一种基于结构超滑的并联RF MEMS开关在审
| 申请号： | 202010596400.9 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111884644A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 郑泉水;吴章辉;向小健 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H03K17/96 | 分类号： | H03K17/96 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 并联 rf mems 开关 | ||
1.一种并联RF MEMS开关，包括基底、驱动部件、绝缘层以及滑动部件，其特征在于：所述驱动部件置于所述基底内，所述驱动部件与所述基底表面平齐；所述滑动部件具有充电电介质层，并具有超滑面，滑动部件通过超滑面与绝缘层接触，并置于绝缘层之上；所述滑动部件能够被驱动在面内滑动，并能改变所述滑动部件与所述驱动部件的相对位置。
2.根据权利要求1所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述驱动部件至少包括第一驱动部件、第二驱动部件。
3.根据权利要求1-2所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述驱动部件包括驱动电极。
4.根据权利要求1-3所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述滑动部件包括电介质层和具有超滑面的石墨层，优选石墨层为HOPG。
5.根据权利要求1-4所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述基底选自绝缘材料或者半导体材料。
6.根据权利要求1-5所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述半导体材料优选为高阻硅；所述绝缘材料优选自SiO2、SiC、蓝宝石、云母等。
7.根据权利要求1-6所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述绝缘层是氧化硅层。
8.根据权利要求1-7所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述绝缘层具有原子级光滑表面，所述绝缘层厚度为1-100纳米，优选为2-50纳米。
9.根据权利要求1-8所述的并联RF MEMS开关，其特征在于：所述滑动部件的被驱动方式为电荷驱动。
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