[发明专利]一种放射源屏蔽体装置及其控制电路在审
申请号: | 202010596827.9 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111710451A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 杨素;屈驰;牛德青;张锐;韩强;任永;姚飞;曾云翔 | 申请(专利权)人: | 绵阳市维博电子有限责任公司 |
主分类号: | G21F1/12 | 分类号: | G21F1/12;G21G4/06;H03K19/0175 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 张超 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放射源 屏蔽 装置 及其 控制电路 | ||
1.一种放射源屏蔽体装置,其特征在于,包括屏蔽体(1)和控制箱(2),屏蔽体(1)由内到外依次设置的铜(9)、铅(8)和钢(7)组成,屏蔽体(1)中心设置有发射孔(10),发射孔(10)一端设置有放射源盖(6),另一端设置有挡束器(5);
挡束器(5)上下两端均设置有行程开关(4),行程开关(4)用于检测挡束器(5)的打开或关闭,挡束器(5)一侧还设置有用于控制挡束器(5)在行程方向上移动的电磁铁(3)。
2.根据权利要求1所述的放射源屏蔽体装置,其特征在于,所述挡束器(5)采用钨钢(7)制成。
3.根据权利要求1所述的放射源屏蔽体装置,其特征在于,所述挡束器(5)直径为发射孔(10)直径的3倍,长度大于80mm。
4.根据权利要求1所述的放射源屏蔽体装置,其特征在于,所述在掉电和关闭状态下挡束器(5)中心与发射孔(10)中心重合。
5.根据权利要求1所述的放射源屏蔽体装置,其特征在于,所述发射孔(10)为沿发射孔(10)轴线方向上依次缩小的阶梯状结构,发射孔(10)的小头端与挡束器(5)相邻。
6.一种放射源屏蔽体装置的控制电路,包括用于控制三极管Q1的控制模块和电源VCC1,其特征在于,所述电源VCC1连接有电磁铁L1,电磁铁L1并联连接有二极管D1,电磁铁L1连接有第一电流支路和第二电流支路,第一电流支路包括三极管Q1,第二电流支路包括电阻R7,第一电流支路末端接地连接有电源地GND2,第二电流支路末端接地连接GND2。
7.根据权利要求6所述的放射源屏蔽体装置的控制电路,其特征在于,所述控制模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、比较器U1和光耦合器U2,光耦合器U2的发光二极管正端连接电阻R4,光耦合器U2的发光二极管负端连接电源地GND1,比较器U1的同相端连接电阻R1和电阻R2,比较器U1的反相端连接电阻R3和电阻C1,比较器U1的输出端连接电阻R4的一端,电阻R1的一端连接电阻R2和电阻U1的同相端,电阻R1的另一端连接电源VCC1,电阻R2的一端连接电阻R1和电阻U1的同相端,电阻R2的另一端连接电源地GND1,电阻R3的一端连接电容C1正极和比较器U1的反相端,电阻R3的另一端连接电源VCC1,电容C1的正极连接电阻R3和比较器U1的反相端,电容C1的负极端连接电源地GND1,电阻R4的一端连接光耦合器U2的发光二极管正端。
8.根据权利要求7所述的放射源屏蔽体装置的控制电路,其特征在于,所述光耦合器U2的光接收集电极接电阻R5,电阻R5的另一端连接电源VCC2,光耦合器U2的光接收发射极接电阻R6,电阻R6的另一端连接三极管Q1基级。
9.根据权利要求6所述的放射源屏蔽体装置的控制电路,其特征在于,所述电磁铁L1的一端接电源VCC2,另一端接二极管D1的正极、三极管Q1集电极和电阻R7,电阻R7的另一端接电源地GND2,二极管D1的负极接电源VCC2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳市维博电子有限责任公司,未经绵阳市维博电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010596827.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。