[发明专利]集成电路器件

说明书

提供集成电路器件。集成电路器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。

本申请要求于2019年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0114365号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种集成电路(IC)器件及一种制造该IC器件的方法，更具体地，涉及一种包括电容器的IC器件及一种制造该IC器件的方法。

背景技术

由于电子技术的发展，半导体器件的尺寸缩小已经快速进步，因此，构成电子器件的图案已经被尺寸缩小。因此，需要开发可以包括具有提高的电容并保持期望的电学特性的尺寸缩小的电容器的结构。

发明内容

发明构思提供了一种集成电路(IC)器件，即使下电极的高度增加或者下电极的高宽比相对增加，该IC器件也可以防止多个电容器的多个下电极倾斜或塌陷，使得可以减少/防止相邻的下电极之间的不期望的短路的发生。

发明构思还提供了一种制造IC器件的方法，即使下电极的高度增加或者下电极的高宽比相对增加，该方法也可以防止多个电容器的多个下电极倾斜或塌陷，从而可以提高IC器件的可靠性和大规模生产效率。

根据发明构思的一个方面，提供了一种IC器件，所述IC器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，被构造为支撑下电极，上支撑结构围绕下电极设置。上支撑结构包括围绕下电极并在与基底平行的横向方向上延伸的上支撑图案。上支撑图案具有下电极所穿过的孔。上间隔件支撑图案置于上支撑图案与孔内部的下电极之间。上间隔件支撑图案具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁。上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。

根据发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，所述IC器件包括布置在基底上并且彼此间隔开的多个下电极。上支撑图案在与基底平行的横向方向上延伸。上支撑图案具有所述多个下电极所穿过的多个孔。多个上间隔件支撑图案以一对一的方式布置在所述多个孔内部。所述多个上间隔件支撑图案中的每个上间隔件支撑图案包括与上支撑图案接触的外侧壁和与所述多个下电极中的对应的一个下电极接触的内侧壁。所述多个上间隔件支撑图案中的每个上间隔件支撑图案在横向方向上具有宽度，所述宽度沿朝向基底的方向减小。

根据发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，所述IC器件包括布置在基底上并且彼此间隔开的多个下电极。上支撑结构包括上支撑图案和多个上间隔件支撑图案。上支撑图案在与基底平行的横向方向上延伸，并且具有所述多个下电极所穿过的多个孔。所述多个上间隔件支撑图案以一对一的方式布置在所述多个孔内部。下支撑图案在基底与上支撑结构之间沿横向方向延伸，并且与所述多个下电极接触。介电膜与所述多个下电极、上支撑图案、所述多个上间隔件支撑图案和下支撑图案接触。上电极位于与所述多个下电极相对的位置，介电膜位于上电极与所述多个下电极之间。所述多个上间隔件支撑图案中的每个上间隔件支撑图案具有在所述多个孔中的对应的一个孔内部与上支撑图案接触的外侧壁和与所述多个下电极中的对应的一个下电极接触的内侧壁。所述多个上间隔件支撑图案中的每个上间隔件支撑图案在横向方向上具有宽度，所述宽度沿朝向基底的方向减小。

根据发明构思的另一方面，提供了一种制造IC器件的方法。所述方法包括形成包括顺序地堆叠在基底上的成型图案和上支撑图案的成型结构图案。成型结构图案具有多个孔。形成上间隔件支撑膜以覆盖上支撑图案的侧壁和顶表面。在所述多个孔内部分别形成多个下电极，以与上间隔件支撑膜和成型图案接触。通过去除上间隔件支撑膜的部分以使上支撑图案的顶表面暴露，来形成多个上间隔件支撑图案。所述多个上间隔件支撑图案分别置于上支撑图案与所述多个下电极之间。去除成型图案以使所述多个下电极中的每个下电极的侧壁暴露。