[发明专利]一种用于晶圆烘烤的温度控制方法

说明书

本公开提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，该温度控制方法可以包括如下步骤：烘烤晶圆时，检测晶圆上多个区域的温度值，从而确定烘烤时晶圆各区域温度分布，利用翘曲量与烘烤时晶圆各区域温度分布之间的关系、当前烘烤时晶圆各区域温度分布确定晶圆的翘曲量，使用该翘曲量来控制用于烘烤晶圆的热板上的多个加热单元各自的发热功率，以使晶圆均匀受热。本公开能够在不改变烘烤装置产品结构的基础上使发生翘曲的晶圆各区域在烘烤过程中均匀受热，可以彻底地解决现有真空吸附晶圆方式带来的诸多问题，而且本公开还具有投入成本较低、可靠性高等突出优点，适于大面积地推广和应用。

技术领域

本公开涉及晶圆烘烤技术领域，更为具体来说，本公开为一种用于晶圆烘烤的温度控制方法。

背景技术

在烘烤(Baking)晶圆的过程中，虽然晶圆烘烤装置的热板(Plate)可均匀地释放出热量，但由于在烘烤等加工过程中产生晶圆翘曲(Wafer warpage)问题而使晶圆无法均匀受热。为了解决晶圆翘曲导致的晶圆无法均匀受热问题，现有技术中采用了具有真空(Vacuum)吸附功能的热板，将放在热板中的晶圆各区域牢牢地贴在热板上，以避免晶圆在烘烤等加工过程中产生翘曲问题，进而能够使晶圆均匀地受热；但是，真空吸附系统往往会增大烘烤装置的体积、投入的成本比较高，而且真空吸附系统一般比较复杂、无法应用在所有的烘烤装置上，而且真空吸附的方式必然要将晶圆与热板直接接触，容易对晶圆造成污染，很可能会导致加工得到的半导体器件良率较低。

发明内容

为解决由于晶圆翘曲(Wafer warpage)问题而使晶圆无法均匀受热的问题，本公开的一个或多个实施例中提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，能够利用在先烘烤时晶圆各区域的温度确定晶圆因烘烤产生的翘曲量，并根据该翘曲量调节在后烘烤时热板的各加热单元的发热功率，从而达到使晶圆均匀受热的目的，从而彻底解决现有技术存在的问题。

根据本公开的一个或多个实施例，本公开提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，该温度控制方法可以包括如下步骤：烘烤晶圆时，检测晶圆上多个区域的温度值，从而确定烘烤时晶圆各区域温度分布，利用翘曲量与烘烤时晶圆各区域温度分布之间的关系、当前烘烤时晶圆各区域温度分布确定晶圆的翘曲量，使用该翘曲量来控制用于烘烤晶圆的热板上的多个加热单元各自的发热功率，以使晶圆均匀受热。

本公开的有益效果为：与现有的真空吸附方式相比，本公开能够在不改变烘烤装置产品结构的基础上使发生翘曲的晶圆各区域在烘烤过程中均匀受热(Tempuniformity)，可以避免因前期晶圆烘烤导致的翘曲而影响后期晶圆正常烘烤的问题，而且本公开还具有投入成本较低、可靠性高等突出优点，所以本公开适于应用在集成度较高的半导体器件加工工艺上，具有较高的推广价值，适于大面积的推广和应用。

附图说明

图1示出了本公开一些实施例中一种用于晶圆烘烤的温度控制方法的流程示意图。

图2示出了本公开一些实施例中增粘处理装置及烘烤时晶圆各区域温度随时间变化的示意图。

图3示出了本公开一些实施例中软烘装置及烘烤时晶圆各区域温度随时间变化的示意图。

图4示出了本公开一些实施例中曝光后烘烤装置及烘烤时晶圆各区域温度随时间变化的示意图。

图5示出了本公开一些实施例中热板的多个加热单元在热板上的分布状态示意图。

图6示出了现有具有真空装置的烘烤装置的结构示意图。

图中，

100、底座；

101、烤箱腔室；

102、晶圆；

103、排气装置；

104、冷却盘；