[发明专利]一种薄膜的生成方法在审
申请号: | 202010597276.8 | 申请日: | 2020-05-09 |
公开(公告)号: | CN111653641A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 陈孝业;蒋秀林 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张一军;张效荣 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 生成 方法 | ||
本申请是中国申请202010386450.4的分案申请。本发明公开了一种薄膜的生成方法。该薄膜的生成方法包括:在非真空环境下,将反应物前驱体沉积到待沉积表面,其中,待沉积表面包括应用于光伏组件的玻璃板的主表面或者电池片的主表面;使反应物前驱体发生反应而在待沉积表面形成薄膜,其中,薄膜为阻挡层,薄膜包括金属氧化物和/或氧化硅。该薄膜能够阻挡碱金属离子迁移,实现光伏组件的抗电势诱导衰减效应(PID)。
本申请是申请号为202010386450.4、申请日为2020年5月9日、发明名称为“光伏组件”的中国申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域,尤其涉及一种薄膜的生成方法。
背景技术
光伏组件是一种在室外接受光线照射后能够产生并输出电力的装置。目前光伏组件的电势诱导衰减效应(potential induced degradation,PID)可使光伏组件电学性能恶化。因此,得到具有抗电势诱导衰减效应(PID)的光伏组件则显得十分重要。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种薄膜的生成方法,能够阻挡碱金属离子迁移,实现光伏组件的抗电势诱导衰减效应(PID)。
为实现上述目的,根据本发明实施例的一个方面,提供了一种薄膜的生成方法,包括:
在非真空环境下,将反应物前驱体沉积到待沉积表面,其中,所述待沉积表面包括应用于光伏组件的玻璃板的主表面或者电池片的主表面;
使所述反应物前驱体发生反应而在待沉积表面形成薄膜,其中,所述薄膜为阻挡层,所述薄膜包括金属氧化物和/或氧化硅。
上述发明中的一个实施例具有如下优点或有益效果:在应用于玻璃板的主表面或者电池片的主表面生成包括金属氧化物和/或氧化硅的薄膜,可使光伏组件的玻璃板与电池片组成的电池串之间存在该包括金属氧化物和/或氧化硅的薄膜。其中,该薄膜中的金属-氧化学键和/或硅-氧键键能高、稳定高,可阻挡碱金属离子在玻璃板与电池片组成的电池串之间的迁移,而且具有金属氧化物中的金属离子和/或氧化硅中的硅离子也不会迁移,使得光伏组件具有抗PID性能。
附图说明
图1是根据本发明实施例的薄膜的生成方法的主要流程的示意图;
图2是根据本发明实施例的光伏组件包括的组件之间的相对位置关系示意图;
图3是根据本发明一个实施例的光伏组件的结构示意图;
图4是根据本发明实施例的玻璃板的结构示意图;
图5是根据本发明另一实施例的光伏组件的结构示意图;
图6是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图;
图7是根据本发明实施例的电池片的结构示意图;
图8是根据本发明另一实施例的光伏组件的组件之间的相对位置关系示意图;
图9是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图;
图10是根据本发明另一实施例的光伏组件的结构示意图;
图11是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图;
图12是根据本发明另一实施例的光伏组件的结构示意图;
图13是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图;
图14是根据本发明另一实施例的光伏组件的结构示意图;
图15是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图;
图16是根据本发明又一实施例的光伏组件的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的