[发明专利]MRAM存储器单元及其形成方法

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器(MRAM)存储器单元，包括：

衬底；

晶体管，位于所述衬底上方并且包括：

第一源极区域；

第二源极区域；

漏极区域，位于所述第一源极区域和所述第二源极区域之间；

至少一个第一沟道区域，位于所述漏极区域和所述第一源极区域之间；

至少一个第二沟道区域，位于所述漏极区域和所述第二源极区域之间；

第一栅极结构，位于所述至少一个第一沟道区域上面；

第二栅极结构，位于所述至少一个第二沟道区域上面；

磁隧道结，位于所述晶体管上面，其中，所述漏极区域耦合至所述磁隧道结；

第一金属层，位于所述晶体管上面；以及

第二金属层，位于所述第一金属层上面，其中，所述第二金属层和所述第一金属层配置为将公共源极线信号耦合至所述第一源极区域和所述第二源极区域以及第一相邻磁性随机存取存储器存储器单元的第一相邻晶体管的第一相邻第一源极区域和第一相邻第二源极区域。

2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，所述至少一个第一沟道区域包括两个第一沟道区域，其中，所述至少一个第二沟道区域包括两个第二沟道区域，其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的x间距是所述第一源极区域和所述第二源极区域之间的距离，其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的x间距为0.18μm，并且其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的y间距为0.144μm。

3.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，所述至少一个第一沟道区域包括三个第一沟道区域，其中，所述至少一个第二沟道区域包括三个第二沟道区域，其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的x间距是所述第一源极区域和所述第二源极区域之间的距离，其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的x间距为0.18μm，并且其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元的y间距为0.192μm。

4.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，所述第一金属层包括第一部分，所述第一部分具有耦合至所述第一源极区域的第一段和耦合至所述第二源极区域的第二段，并且其中，所述第二金属层包括耦合至第一金属层的第一段，所述第二金属层的第一段配置为公共源极线。

5.根据权利要求4所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，

所述第一金属层包括耦合至所述第一相邻磁性随机存取存储器存储器单元的所述第一相邻晶体管的所述第一相邻第一源极区域和所述第一相邻第二源极区域的第二部分、耦合至第二相邻磁性随机存取存储器存储器单元的第二相邻晶体管的第二相邻第一源极区域和第二相邻第二源极区域的第三部分以及耦合至第三相邻磁性随机存取存储器存储器单元的第三相邻晶体管的第三相邻第一源极区域和第三相邻第二源极区域的第四部分，其中，

所述公共源极线耦合至所述第一金属层的所述第一部分和所述第二部分，并且耦合至第二公共源极线，所述第二公共源极线耦合至所述第一金属层的所述第三部分和所述第四部分，用于形成配置为接收所述公共源极线信号的四个位单元。

6.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，所述磁隧道结包括下部铁磁层、上部铁磁层和位于所述下部铁磁层与所述上部铁磁层之间的隧道阻挡层，并且其中，所述磁性随机存取存储器存储器单元还包括：

第三金属层，配置为字线并且耦合至所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；

第四金属层，配置为耦合至所述下部铁磁层和所述漏极区域的下部金属接触岛；

第五金属层，配置为耦合至所述上部铁磁层的上部金属接触岛；以及

第六金属层，配置为位线并且耦合至所述第五金属层。

7.根据权利要求6所述的磁性随机存取存储器存储器单元，其中，

所述至少一个第一沟道区域包括两个第一沟道区域，其中，

所述至少一个第二沟道区域包括两个第二沟道区域，其中，

所述下部金属接触岛的长度为0.08μm，宽度为0.06μm，其中，

所述上部金属接触岛的长度为0.1μm，宽度为0.08μm。