[发明专利]温度传感器及其制备方法及应用温度传感器的感测装置在审
申请号: | 202010598521.7 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111964800A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 吴进;韦耀铭;吴子轩 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01K7/16 | 分类号: | G01K7/16;G01K15/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 戴涛 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度传感器 及其 制备 方法 应用 装置 | ||
1.一种温度传感器,其特征在于,包括有衬底、热敏材料、电极以及微加热器,所述电极设于衬底上,所述微加热器设于衬底下,所述热敏材料设于电极上。
2.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述微加热器包括蛇形加热丝和接触垫,所述蛇形加热丝与接触垫连接。
3.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述电极为叉指电极。
4.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述热敏材料为石墨烯。
5.根据权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述衬底由液晶聚合物或者表面生长有二氧化硅的硅片构成。
6.一种感测装置,其特征在于,包括有权利要求1至5任一项所述温度传感器。
7.根据权利要求6所述的感测装置,其特征在于,还包括有报警器,所述报警器与温度传感器连接。
8.一种温度传感器的制备方法,其特征在于,包括有以下步骤:
S1:采用微波等离子体增强化学气相沉积方法制备分散液;
400℃~500℃下,将混合气体通入反应室,在等离子体的辅助下,在金属基底上沉积得到三维多孔石墨烯,随后将三维多孔石墨烯分散在溶液中,经超声分散、离心后形成分散液,所述金属基底用于催化三维多孔石墨烯的形成;
S2:制备电极:
通过光刻和蒸镀工艺在衬底上制备叉指电极;
S3:制备微加热器:
通过光刻、溅射工艺,在衬底的下部制备微加热器;
S4:热敏材料集成到衬底:
将分散液滴至所述叉指电极上,连接电极之间的间隙,形成热敏材料,电极之间形成通路,干燥后得到温度传感器。
9.根据权利要求8所述的温度传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,金属基底为Ni基底,溶液为乙醇,超声分散时间为10min~30min,离心转数为3000rpm~4000rpm、时长为10min~30min;
步骤S1的具体步骤为:
在反应室中,通入氢气和以氩气为载气的混合气体C2H4O2,混合气体在400℃~500℃以及等离子体环境下,被Ni基底催化沉积得到三维多孔石墨烯,将所得三维多孔石墨烯分散在乙醇中,经过10min~30min超声分散,再经过3000rpm~4000rpm、10min~30min的离心处理,得到分散液。
10.根据权利要求8所述的温度传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,在衬底上旋涂光刻胶,光刻出叉指电极图案,蒸镀厚度为5nm~20nm的镉作为过渡层;
继续蒸镀100nm~300nm的Au或Pt,制备Au或Pt叉指电极;
叉指电极的每一电极的宽度和电极之间的间隙宽度均在20μm~50μm之间;
所述步骤S3中,在衬底的另一面旋涂光刻胶,光刻出微加热器图案,蒸镀或溅射5nm~20nm的镉作为过渡层;继续蒸镀厚度为150nm~450nm的Au或Pt,制备Au或Pt微加热器;
微加热器的蛇形加热丝之间的宽度尺寸为20μm~50μm,接触垫面积为0.5mm2~2mm2。
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