[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202010598605.0 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111653579A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括驱动电路、阵列基板和扇出走线结构,所述扇出走线结构包括若干扇出走线,每一所述扇出走线用于电性连接所述驱动电路与所述阵列基板中的金属线,其特征在于,所有的所述扇出走线的长度相等。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,不同的所述扇出走线的形状相同或不同。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述扇出走线的形状为螺旋形、波浪形、Z形和T形中的任意一种或多种的组合。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
遮光层,所述遮光层设于所述衬底基板上;
缓冲层,所述缓冲层设于所述衬底基板上,且覆盖所述遮光层;
有源层,所述有源层设于所述缓冲层上;
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述缓冲层上,且覆盖所述有源层;
栅极层,所述栅极层设于所述栅极绝缘层上,所述栅极层包括栅极和与所述栅极一体的扫描线;
层间介质层,所述层间介质层设于所述栅极绝缘层上,且覆盖所述栅极层;
源漏极层,所述源漏极层设于所述层间介质层上,所述源漏极层包括源极、与所述源极一体的数据线、漏极和触控线;
无机绝缘层,所述无机绝缘层设于所述层间介质层上,且覆盖所述源漏极层;
公共电极层,所述公共电极层设于所述无机绝缘层上;
钝化层,所述钝化层设于无机绝缘层上,且覆盖公共电极层;
像素电极层,所述像素电极层设于所述钝化层上。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一过孔,所述第一过孔形成于所述层间介质层和所述栅极绝缘层中,且位于所述有源层上,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接;
第二过孔,所述第二过孔形成于所述层间介质层和所述栅极绝缘层中,且位于所述有源层上,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第三过孔,所述第三过孔形成于所述钝化层、所述公共电极层和所述无机绝缘层中,且位于所述触控线上,所述像素电极层通过所述第三过孔与所述触控线连接;
第四过孔,所述第四过孔形成于所述钝化层中,且位于所述公共电极层上,所述像素电极层通过所述第四过孔与所述公共电极层连接;
第五过孔,所述第五过孔形成于所述钝化层、所述公共电极层和所述无机绝缘层中,且位于所述漏极上,所述像素电极层通过所述第五过孔与所述漏极连接。
7.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述无机绝缘层的制备材料包括氮化硅和/或氧化硅。
8.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板为低温多晶硅阵列基板。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板的制作方法包括以下步骤:
制作阵列基板、驱动电路和扇出走线结构,其中,所述扇出走线结构包括若干扇出走线;
将每一所述扇出走线的两端分别与所述驱动电路和所述阵列基板中的金属线连接,其中,所有的所述扇出走线的长度相等。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-8中任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的