[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底内至少部分地形成第一半导体管芯和第二半导体管芯；

将所述第二半导体管芯与所述第一半导体管芯分离，其中，所述分离包括：

形成第一开口，其中，自顶向下看，形成所述第一开口形成弯曲的侧壁；

将所述半导体衬底第一次减薄至100μm和500μm之间的厚度，

将所述半导体衬底的附接至所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的部分第二次减薄，其中，所述第二次减薄不同于所述第一次减薄，所述第二次减薄将所述半导体衬底减薄至厚度10μm和250μm之间；和

在所述第一次减薄半导体衬底和所述第二次减薄半导体衬底的部分之间，锯切所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述弯曲的侧壁具有在50μm至500μm之间的弧半径。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述第一半导体管芯结合到半导体晶圆。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述第一半导体管芯结合到所述半导体晶圆包括将所述第一半导体管芯熔融结合到所述半导体晶圆。

5.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将半导体晶圆的第一半导体器件与所述半导体晶圆的第二半导体器件部分分离，所述半导体晶圆包括第一半导体材料；

第一次减薄所述第一半导体材料以及第二次减薄所述第一半导体材料，其中，所述第一次减薄不同于所述第二次减薄，在所述第二次减薄所述第一半导体材料之后，所述第一半导体器件具有笔直的侧壁，其中，减薄所述第一半导体材料将厚度从100μm和500μm之间减小至10μm和250μm之间；以及

在所述第一次减薄所述第一半导体材料和所述第二次减薄所述第一半导体材料之间锯切所述第一半导体材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，部分分离所述第一半导体器件在划线区域内形成开口，所述划线区域的宽度在10μm至200μm之间。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，部分分离所述第一半导体器件时形成圆角。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

制造具有半导体晶圆的第一半导体器件和第二半导体器件；

从所述第二半导体器件中分离出所述第一半导体器件，所述分离包括：

第一化学机械抛光工艺；

第二化学机械抛光工艺；和

在第一化学机械抛光工艺和第二化学机械抛光工艺之间的锯切工艺，其中，在所述半导体晶圆的半导体衬底的厚度在100μm至500pm之间时，发生所述锯切工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第二化学机械抛光工艺之后，所述半导体衬底的厚度在10μm至250μm之间。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述锯切工艺之后并且在所述第二化学机械抛光工艺之前，将所述第一半导体器件熔融结合至第二半导体晶圆上。