[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010599312.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111704469A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王群;吴心如;金鑫;李晓冬 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学;内蒙古盛和芯材科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;C04B35/638;C04B35/626;C04B35/632 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 盛大文 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括制浆、真空除泡、流延成型、排胶和烧结，所述排胶包括以下三段过程：
第一段排胶过程：升温到350℃-450℃，保温50min-90min；
第二段排胶过程：升温到650℃-750℃，保温25min-45min；
第三段排胶过程：降温至400℃-500℃，保温80min-100min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述排胶包括以下三段过程：
第一段排胶过程：在惰性气氛条件下，升温到350℃-450℃，保温50min-90min；
第二段排胶过程：在真空或惰性气氛条件下，升温到650℃-750℃，保温25min-45min；
第三段排胶过程：降温至400℃-500℃，在空气或氧气气氛条件下保温80min-100min。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，第一段排胶过程中，以3℃/min-5℃/min的加热速度，升温到350℃-450℃；
和/或，第二段排胶过程中，以8℃/min-10℃/min的加热速度，升温到650℃-750℃；
和/或，第三段排胶过程中，以5℃/min-8℃/min的速度，降温至400℃-500℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制浆包括以下步骤：
(1)将氮化铝粉末、烧结助剂和球磨介质混合，进行一次球磨处理，干燥后得到含有烧结助剂的氮化铝粉料；
(2)将分散剂、粘结剂和增塑剂溶解在溶剂中，得到流延溶胶；
(3)将步骤(1)得到的含有烧结助剂的氮化铝粉料与步骤(2)得到的流延溶胶混合，进行二次球磨处理，得到流延浆料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝粉末、烧结助剂、溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂的质量比为40～45：1.5～2.5：40～45：1.5～2.5：7～8：2～3。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述球磨介质为无水乙醇。
7.根据权利要求4-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在35℃～45℃的条件下，将所述分散剂、粘结剂和增塑剂溶解在所述溶剂中。
8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述溶剂为正丁醇和环己酮的混合溶液。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述正丁醇和环己酮质量比为40～45：60～55。
10.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述制备方法制备得到。
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