[发明专利]具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件

权利要求书

1.一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，

所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；

所述p型层由III族氮化物材料B_xAl_yIn_zGa_1-x-y-zN制成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述p型层中沿金属极性方向发生x逐渐减小、y逐渐减小或z逐渐增大中的至少一种；

所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布；

所述p型掺杂剂为Mg、Be或Zn，且在所述p型层中形成多层δ掺入层，所述δ掺入层隔开的子p型层的厚度沿金属极性方向逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层厚度为0.001-10微米。

3.一种具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件，其特征在于，依次包括：

衬底；

缓冲层；

n型层，具有n型掺杂；

有源区域，为III族氮化物双异质结结构、单量子阱结构或多量子阱结构；

p型层，通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴，含有p型掺杂剂，且p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布；所述p型掺杂剂为Mg、Be或Zn，且在所述p型层中形成多层δ掺入层，所述δ掺入层隔开的子p型层的厚度沿金属极性方向逐渐减小；

p型接触层，具有p型掺杂；

所述p型层由III族氮化物材料B_xAl_yIn_zGa_1-x-y-zN制成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述p型层中沿金属极性方向发生x逐渐减小、y逐渐减小或z逐渐增大中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的光电子器件，其特征在于，所述p型层的厚度为0.01-10微米。

5.根据权利要求3所述的光电子器件，其特征在于，在所述有源区域和所述p型层之间，有p型电子阻挡层。

6.根据权利要求5所述的光电子器件，其特征在于，所述p型电子阻挡层组分固定，或发生组分渐变引入极化从而诱导产生一定浓度的空穴。

7.根据权利要求3所述的光电子器件，其特征在于，所述n型层由III族氮化物材料B_aAl_bIn_cGa_1-a-b-cN制成，其中，0≤a≤1，0≤b≤1，0≤c≤1；

所述n型层的厚度为0.01-20微米；

所述n型层的组分固定，或发生组分渐变引入极化从而诱导产生一定浓度的电子；

所述n型层含有均匀或调制掺入n型掺杂剂，或不掺入n型掺杂剂。