[发明专利]一种防止低压差线性稳压器输出电压过冲的电路有效
申请号: | 202010600382.7 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111796619B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 林少连;邱雷;韩志刚 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 倪静 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 低压 线性 稳压器 输出 电压 电路 | ||
1.一种防止低压差线性稳压器输出电压过冲的电路,所述低压差线性稳压器包括功率管,其特征在于,所述电路包括:
防过冲单元,用于输出缓慢降低的控制电压;
控制单元,其输入端与所述防过冲单元的输出端连接;并且,所述控制电压通过所述控制单元反馈到所述功率管的栅极,以使低压差线性稳压器的输出电压缓慢增加;
所述防过冲单元包括:偏置输入端、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容和电源电压;其中,所述偏置输入端连接第一NMOS管的漏极和栅极;所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接;所述第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地;所述第二NMOS管的漏极连接所述第一电容的负极;所述第一电容的正极连接所述电源电压;所述第二NMOS管的漏极为所述防过冲单元的输出端;所述防过冲单元还包括第一PMOS管;所述第一PMOS管的漏极连接所述第一电容的负极;所述第一PMOS管的源极连接所述电源电压;所述第一PMOS管的栅极为所述防过冲单元的使能信号输入端。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述控制单元包括第三NMOS管和第四NMOS管;其中,第三NMOS管的栅极为所述控制单元的输入端。
3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括运算放大器;所述运算放大器包括第五NMOS管和第六NMOS管;其中,第五NMOS管的栅极为所述运算放大器的反相输入端;第六NMOS管的栅极为所述运算放大器的同相输入端;
所述第三NMOS管的源极和漏极分别与所述第五NMOS管的源极和漏极连接;所述第四NMOS管的源极和漏极分别与所述第六NMOS管的源极和漏极连接;所述第四NMOS管的源极和栅极连接。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述运算放大器包括电流源,用于所述第五NMOS管和第六NMOS管的供电。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述电流源包括第七NMOS管;所述第七NMOS管的漏极分别连接所述第五NMOS管和第六NMOS管的源极;所述第七NMOS管的源极接地。
6.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述运算放大器包括第二PMOS管和第三PMOS管;所述第二PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极;所述第三PMOS管的漏极连接所述第六NMOS管的漏极;所述第二PMOS管和第三PMOS管的源极连接所述电源电压;所述第二PMOS管和第三PMOS管的栅极互连;所述第二PMOS管的漏极与栅极互连。
7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路包括米勒补偿电容,其两端分别连接所述功率管的栅极和漏极,以补偿所述低压差线性稳压器的相位裕度。
8.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述低压差线性稳压器包括第四PMOS管,用于控制所述低压差线性稳压器在工作状态与不工作状态之间的切换。
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