[发明专利]无镉量子点以及包括其的复合物和显示装置在审
| 申请号： | 202010600645.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112143482A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 金泰坤;崔善明;田信爱;杨惠渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 任旭;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 以及 包括 复合物 显示装置 | ||
1.一种量子点，所述量子点包括：
半导体纳米晶体核，包括铟、镓和磷；
第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及
第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，
其中，量子点不包括镉，
其中，量子点发射绿光，并且
其中，在量子点中，镓相对于铟和镓的总和的摩尔比小于或等于0.5:1，并且
硫相对于硒的摩尔比小于或等于2.5:1。
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，半导体纳米晶体核包括InGaP合金。
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子点的最大光致发光峰存在于500纳米至550纳米的范围内。
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点的紫外-可见吸收光谱中，450纳米处的吸收强度与350纳米处的吸收强度的比率大于或等于0.08:1。
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，锌相对于铟和镓的总和的摩尔比小于或等于45:1。
6.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，锌相对于铟和镓的总和的摩尔比大于或等于10:1且小于或等于30:1。
7.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于2:1。
8.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，硫相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1且小于或等于1.4:1。
9.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，铟和镓的总和相对于硒和硫的总和的摩尔比大于或等于0.03:1且小于或等于0.1:1。
10.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳的厚度大于或等于3个单分子层。
11.根据权利要求1所述的量子点，其中，第二半导体纳米晶体壳的厚度小于0.7纳米。
12.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳的厚度大于或等于0.9纳米且小于或等于1.4纳米。
13.根据权利要求1所述的量子点，其中，第二半导体纳米晶体壳的厚度小于0.6纳米。
14.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子点的量子效率大于或等于70％。
15.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳不包括硫并且直接设置在半导体纳米晶体核的表面上，其中，第二半导体纳米晶体壳直接设置在第一半导体纳米晶体壳的表面上并且是量子点的最外层。
16.根据权利要求1所述的量子点，其中，半导体纳米晶体核的尺寸大于或等于2纳米且小于或等于4纳米。
17.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子点的尺寸大于或等于5纳米。
18.一种量子点-聚合物复合物，所述量子点-聚合物复合物包括：
聚合物基质；以及
多个量子点，分散在聚合物基质中，其中，所述多个量子点包括根据权利要求1至权利要求17中任一项所述的量子点。
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