[发明专利]确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板

说明书

本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻图形的掩膜板对光阻进行光刻，以在基板上形成对应的测试图形，对所有测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，并在一数据库中放入相关的数据资料，将所述数据库中最高光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为该光阻在一光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以在所述数据库中找到目标光刻图形面积为优选光刻图形面积时所对应的光刻良率最高的光阻和光刻工艺条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可不必改变光阻的适用条件而达到较佳的刻蚀效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板。

背景技术

光刻工艺是半导体器件制造中的关键性工艺，其工艺质量直接影响着器件的成品率、可靠性、性能以及使用寿命等参数的稳定和提高，而造成影响这些参数的最直接、最重要的因素之一就是在整个光刻工艺中由于光阻而引发的各种缺陷。

在光刻工艺中，光阻是形成图形不可或缺的介质，因此光阻的稳定性直接影响光刻工艺的稳定性和器件的质量。而当光阻的稳定性发生变化时，将会导致光阻对光刻工艺的要求的改变，即，当光刻工艺条件不变的情况下，光阻的稳定性发生了变化，则会导致器件的成品率下降。光阻的稳定性通常受热稳定性和溶解度的影响。

在实际生产过程中，由于光阻的制造厂很难控制不同批次的光阻的稳定性保持一致，因此，光阻的稳定性通常会在一定范围内进行波动。为了确认不同批次的光阻能否满足光刻要求，通常会选择一款需光刻的产品来用该批次的光阻进行光刻，如光刻结果OK，则表明该批次的光阻可以被正常使用。

通常情况下，用于检测光阻的产品的光刻图形尺寸较小，因此对光刻的工艺条件要求并不严苛。当光阻的稳定性发生了较大的变化时，通过该产品无法检测出光阻的稳定性发生了改变。而当此种光阻被应用于光刻具有较大光刻面积的产品上时，如不改变光刻条件，则会出现大批量光刻不良。而要改变光刻条件，则需要经过大量的验证才可以找到最优的光刻条件，不利于光刻成本的控制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板，以解决当光阻稳定性发生变化时，需经过大量验证来找到光阻的适用条件，且不利于光刻成本控制的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种确定光阻的适用条件的方法，所述确定光阻的适用条件的方法包括：

提供一基板，在所述基板上涂布待评估的光阻；

在一光刻工艺条件下，利用一掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个测试图形，至少部分所述测试图形的面积大小不同；

对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计在所述光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中；

将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述确定光阻的适用条件的方法还包括：

改变所述光刻工艺条件，以得到不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成多个相应的所述数据对，并将所有所述数据对纳入所述数据库中。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法包括：