[发明专利]一种阵列基板以及显示面板有效
申请号: | 202010601723.2 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN111755464B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 刘家昌;袁鑫;曹曙光 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 以及 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管位于所述衬底基板的一侧;其中,所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅,所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体,所述第二薄膜晶体管的栅极包括顶栅极和底栅极,所述顶栅极和所述底栅极通过过孔连接;
所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层,且所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述顶栅极位于同层;
还包括第一信号走线和第二信号走线;
其中,所述第一信号走线,用于为所述第二薄膜晶体管的栅极提供电信号;
所述第二信号走线用于为所述第二薄膜晶体管的源极和漏极提供电信号;
所述第一信号走线在所述衬底基板的投影和所述第二信号走线在所述衬底基板的投影相交叠的部分位于不同层;
所述第一信号走线包括第一部分信号走线和第二部分信号走线;
所述第一部分信号走线和所述顶栅极位于同层,且与所述顶栅极相连;
所述第二部分信号走线和所述第一薄膜晶体管的栅极位于同层、或者和所述底栅极位于同层,所述第二部分信号走线通过过孔与所述第一部分信号走线连接,所述第二部分信号走线在所述衬底基板的投影和所述第二信号走线在所述衬底基板的投影相交叠;
所述第二信号走线与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同层,且与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极相连;
或者,所述第二信号走线包括第三部分信号走线和第四部分信号走线;
所述第三部分信号走线和所述第二薄膜晶体管的源极和漏极位于同层,且与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极相连;
所述第四部分信号走线和所述第一薄膜晶体管的栅极位于同层、或者和所述底栅极位于同层,所述第四部分信号走线通过过孔与所述第三部分信号走线连接,所述第四部分信号走线在所述衬底基板的投影和所述第一信号走线在所述衬底基板的投影相交叠;
所述第一信号走线和所述顶栅极位于同层,且与所述顶栅极相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:至少一个电容结构,其中,所述电容结构的第一电极与所述第一薄膜晶体管的栅极位于同层,所述电容结构的第二电极与所述底栅极位于同层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号走线在所述衬底基板的投影和所述第二信号走线在所述衬底基板的投影互相垂直。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括顶栅结构或者底栅结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板上依次设置有缓冲层、所述第一薄膜晶体管的有源层、第一绝缘层、所述第一薄膜晶体管的栅极、第二绝缘层、所述底栅极、第三绝缘层、所述第二薄膜晶体管的有源层、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述顶栅极;所述第三绝缘层设置有所述过孔,所述底栅极通过所述过孔与和所述顶栅极连接。
6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的