[发明专利]一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法有效
| 申请号： | 202010602379.9 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111799364B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 注入 铌酸锂 钽酸锂晶圆黑化 方法 | ||
1.一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；
对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；
对所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理；
所述还原性离子包括Fe2+；
所述退火处理的过程依次为升温过程、保温过程和冷却过程；所述保温过程的保温温度350-550℃；所述保温过程的保温时间10-15h。
2.根据权利要求1所述的基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，所述还原性离子注入的注入能量为0.5-3Mev。
3.根据权利要求1所述的基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，所述还原性离子注入的注入剂量0.5-5×1015/cm2。
4.根据权利要求1所述的基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，所述升温过程的升温速率为5-10℃/min。
5.根据权利要求1所述的基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行还原性离子注入处理，包括：
对所述晶圆进行贴片处理；
将贴片后的晶圆置入离子注入机中进行还原性离子注入。
6.根据权利要求1所述的基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，其特征在于，所述对所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理，包括：
将所述注入还原性离子的晶圆置入高温退火炉中进行退火处理。
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