[发明专利]一种多晶硅压阻系数测试结构与方法

权利要求书

1.一种多晶硅压阻系数测试结构，其特征在于：所述的多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻(1)，薄膜(2)，衬底(3)，腔体(4)；

其中：多晶硅电阻(1)位于薄膜(2)上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜(2)为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜(2)上，通过薄膜(2)的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻(1)的电阻值；衬底(3)为硅晶圆，是测试结构的基底件，腔体(4)为长方体结构，内部保持有一定压力，密封的腔体(4)中的压力是已知的。

2.按照权利要求1所述的多晶硅压阻系数测试结构，其特征在于：所述的薄膜(2)为正方形悬浮薄膜，边长为L；多晶硅电阻(1)的位置位于正方形薄膜对角线距离最近定点1/4边长的位置，多晶硅电阻(1)方向平行于一条对角线。

3.按照权利要求1所述的多晶硅压阻系数测试结构，其特征在于：所述的多晶硅电阻(1)为2-8个。

4.按照权利要求1所述的多晶硅压阻系数测试结构，其特征在于：所述的多晶硅电阻(1)形状为条形电阻或交叉型电阻；交叉型电阻由于交叉角度为90度，在同一电阻上，根据不同电学配置，在同一电阻上测量不同压阻系数分量。

5.一种如权利要求1所述的多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，其特征在于：测试方法：通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜(2)受力发生变化，由于多晶硅电阻(1)的压阻效应，多晶硅电阻阻值发生变化，由于电阻的特殊位置，每个电阻只受到单一应力分量的作用，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。

6.按照权利要求5所述的多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，其特征在于：单独测量掺杂多晶硅2个压阻系数分量的测试结构和技术。这种技术包括了建立一个正方形悬浮薄膜，至少2个电阻，每个电阻必须是正方形对角线方向，位于特殊的位置，确保每一个电阻只受到横向或纵向应力影响,电阻方向与正方形边长成45度角，并且位于对角线上。