[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
申请号: | 202010602968.7 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN111899778A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李映勋 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34;G11C7/04;G06F3/06;G11C16/16;G11C16/24;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/08;G11C16/32 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体存储器件包括:
存储单元阵列,包括多个存储单元;
外围电路,被配置成执行对存储单元阵列的编程操作和擦除操作;以及
控制逻辑,被配置成根据半导体存储器件的当前温度与预定温度之间的差,来控制外围电路以调节在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的设定编程电压的电势电平或施加时间。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中,控制逻辑包括温度检测器,温度检测器被配置成检测当前温度与预定温度之间的差。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件,
其中,控制逻辑控制外围电路在第一编程操作之后执行第二编程操作,以及
控制外围电路,使得第二编程操作的第一正常编程电压具有比设定编程电压低的电势电平或短的施加时间。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件,
其中,控制逻辑控制外围电路,使得在第一编程操作期间施加给存储单元阵列的位线的第一编程容许电压和在第二编程操作期间施加的第二编程容许电压彼此不同。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件,
其中,控制逻辑根据当前温度与预定温度之间的差来调节第一编程容许电压与第二编程容许电压之间的差。
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