[发明专利]一种超低残压电涌保护器在审
| 申请号： | 202010605347.4 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111585260A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李红斌;郑雷鸣 | 申请（专利权）人： | 浙江雷泰电气有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 325000 浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超低残 压电 保护 | ||
1.一种超低残压电涌保护器，包括底座(1)和防雷模块(2)，所述防雷模块(2)与所述底座(1)间形成插拔式连接结构，所述底座(1)中还设有与所述防雷模块(2)的相对两侧面电性连接的第一引出电极(11)和第二引出电极(12)，其特征在于，所述防雷模块(2)包括氧化锌陶瓷体(21)和内嵌于所述氧化锌陶瓷体(21)中的密闭腔体(22)，所述密闭腔体(22)内密封有惰性气体(23)，所述氧化锌陶瓷体(21)与所述密闭腔体(22)的接触面处互熔为一体，所述第一引出电极(11)与所述氧化锌陶瓷体(21)的端面连接，所述第二引出电极(12)与所述密闭腔体(22)的外端面连接。
2.根据权利要求1所述的超低残压电涌保护器，其特征在于，所述密闭腔体(22)为陶瓷材质，其内密封有氩气，所述密闭腔体(22)的厚度为3-5mm。
3.根据权利要求2所述的超低残压电涌保护器，其特征在于，所述密闭腔体(22)为氮化硅陶瓷或碳化硅陶瓷。
4.根据权利要求3所述的超低残压电涌保护器，其特征在于，所述密闭腔体(22)占所述氧化锌陶瓷体(1)端面面积的50-60％。
5.根据权利要求4所述的超低残压电涌保护器，其特征在于，所述密闭腔体(22)的内嵌深度占所述氧化锌陶瓷体(21)厚度的30-50％，所述密闭腔体(22)的上端面伸出所述氧化锌陶瓷体(21)端面3-5mm。
6.根据权利要求1-5任一所述的超低残压电涌保护器，其特征在于，所述氧化锌陶瓷体(21)中成型一内凹圆柱面(211)，所述密闭腔体(22)为一端开口的圆柱形结构，所述密闭腔体(22)的一端内嵌于所述氧化锌陶瓷体(21)的内凹圆柱面(211)底部，且所述密闭腔体(22)的外侧面与所述氧化锌陶瓷体(21)的内凹圆柱面(211)间形成熔合层(24)。
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