[发明专利]缓冲器电路以及具有缓冲器电路的功率半导体模块

权利要求书

1.一种缓冲器电路，包括：

缓冲器基板，所述缓冲器基板包括电绝缘载体和施加于所述电绝缘载体上的导电结构化层，所述缓冲器基板的所述导电结构化层包括两个区段；

两个电阻层，每一个电阻层被施加到所述缓冲器基板的所述导电结构化层的所述两个区段上；以及

电容器，所述电容器设置在所述电阻层上，并且具有两个端子，每一个端子电连接到所述电阻层中的一个。

2.根据权利要求1所述的缓冲器电路，其中，满足下列中的至少一个：

第一导电互连层被设置在所述两个电阻层与所述缓冲器基板的所述导电结构化层的所述两个区段之间；以及

第二导电互连层被设置在所述两个电阻层与所述电容器的所述两个端子之间。

3.根据权利要求2所述的缓冲器电路，其中，所述第一导电互连层和所述第二导电互连层中的至少一个被配置为具有热电容的作用。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的缓冲器电路，其中，所述两个电阻层包括超过0.03Ωm的电阻率。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的缓冲器电路，其中，所述两个电阻层具有等于或者小于相应的所述电阻层的基本面积的平方根的1/5的高度。

6.根据权利要求4或5所述的缓冲器电路，其中，所述电阻层包括具有均匀电阻率分布的材料。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的缓冲器电路，其中，所述两个电阻层包括掺杂的半导体材料或由掺杂的半导体材料构成。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的缓冲器电路，其中，所述电容器的所述端子被布置在所述电容器的横向端部处，并且具有立方体端盖的形状。

9.根据权利要求1-7中的任一项所述的缓冲器电路，其中，所述电容器的所述端子被布置在所述电容器的横向端部处，并且具有L形。

10.一种功率半导体模块，包括：

模块基板，所述模块基板包括电绝缘载体和施加于所述电绝缘载体上的导电结构化模块层，所述导电结构化层包括多个区段；

至少一个半导体开关器件，所述至少一个半导体开关器件设置在所述模块基板上，并且电连接到所述导电结构化层；以及

根据权利要求1-9中的任一项的至少一个缓冲器电路，所述至少一个缓冲器电路设置在所述模块基板上，并且经由所述模块基板的所述导电结构化层连接到所述至少一个半导体开关器件。

11.根据权利要求10所述的功率半导体模块，其中，所述至少一个缓冲器电路被设置为紧密靠近所述至少一个半导体开关器件。

12.根据权利要求10或11所述的功率半导体模块，其中，所述缓冲器基板是所述模块基板的部分。

13.根据权利要求10-12中的任一项所述的功率半导体模块，其中，所述至少一个半导体开关器件是碳化硅金属氧化物场效应晶体管。

14.根据权利要求10-13中的任一项所述的功率半导体模块，其中，所述缓冲器电路还包括缓冲器二极管。

15.根据权利要求10-14中的任一项所述的功率半导体模块，其中，所述至少一个缓冲器电路被设置在所述模块基板的中心。