[发明专利]快闪存储器的读取控制方法及装置有效
申请号: | 202010606419.7 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN111863097B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 喻小帆;张旭航;赵丽红 | 申请(专利权)人: | 联芸科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C29/42 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 刘静 |
地址: | 310051 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 读取 控制 方法 装置 | ||
公开了一种快闪存储器的读取控制方法,包括:获取重读概率,判断所述重读概率是否大于预设阈值;当所述重读概率大于预设阈值时,统计每次重读时使用的电压表;当连续N次重读时的电压表为第i组电压表时,将第i组电压表设置为默认读取电压,其中,所述N为大于零的自然数,所述i为1;根据所述默认读取电压从存储器中读取存储数据。本申请的读取控制方法,通过动态调整默认读取电压的方法,避免了每次重读时都需要轮询电压表的过程,可以使得在重读时的次数降低,效率增加。
技术领域
本发明涉及存储器技术领域,特别涉及一种快闪存储器的读取控制方法及装置。
背景技术
快闪存储器(flash)是一种非易失性的存储器,广泛应用于记忆卡、固态硬盘以及可携式多媒体播放器(portable multimedia players)等电子设备。快闪存储器可分为NOR型快闪存储器和NAND型快闪存储器。
为了保护数据的安全,通常在快闪存储器的控制器内设置有ECC(Error Checkingand Correction)译码电路,用于数据恢复和纠错处理。ECC译码电路设置在快闪存储器的控制端,在数据写入阶段,将基于原始数据编码产生编码数据存储到快闪存储器中,在数据读取阶段,使用纠错码(ECC)纠正一定数量的错误数据比特得到原始数据。通过ECC译码电路能够降低快闪存储器的误码率以及提高产品良率。
在快闪存储器数据读取阶段,由于快闪存储器的固有特性,在使用纠错码(ECC)纠错数据之前,需要设置一组合适的读取电压,使得RBER(Raw Bit Error Rate)尽可能少。如果颗粒等级较好,在较好的使用环境下,读数据使用默认电压读一次就可以完成;然而,当颗粒等级较差或者寿命末期,或使用环境不好的情况下,就需要调用电压表(Retry table)的进行重读,有时一笔数据会重读很多次。当这种重读的概率很大时,会大大降低系统效率。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种快闪存储器的读取控制方法,通过动态调整默认读取电压的方法,避免了每次重读时都需要轮询电压表的过程,可以使得在重读时的次数降低,效率增加。
根据本发明的一方面,提供一种快闪存储器的读取控制方法,包括:获取重读概率,判断所述重读概率是否大于预设阈值;当所述重读概率大于预设阈值时,统计每次重读时使用的电压表;当连续N次重读时的电压表为第i组电压表时,根据所述第i组电压表更新默认读取电压,其中,所述N为大于零的自然数,所述i为大于零的自然数;根据所述默认读取电压从存储器中读取存储数据。
优选地,根据所述第i组电压表更新默认读取电压的步骤包括:判断第一次修改默认读取电压是否成立;第一次修改默认读取电压成立时,将所述第i组电压表设置为默认读取电压。
优选地,还包括:第一次修改默认读取电压不成立时,根据第i组电压表与当前的默认读取电压获取新的默认读取电压。
优选地,根据第i组电压表与当前的默认读取电压获取新的默认读取电压的步骤包括:将所述第i组电压表与当前默认读取电压相加并取平均值;将所述平均值设为新的默认读取电压。
优选地,还包括:另i=i+1。
优选地,所述i的初始值为1。
优选地,根据所述i的值判断第一次修改默认读取电压是否成立。
优选地,所述重读概率为一定时间内需要重读的数据占总的读数据的比例。
优选地,所述预设阈值包括0.5~0.7。
优选地,所述N的范围包括10~20。
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