[发明专利]一种元器件模型的参数优化方法及装置有效

专利信息
申请号: 202010606567.9 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111859627B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 李卓翰;高小丽;许敏;王习文;张纪东 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06N3/126
代理公司: 北京麦宝利知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11733 代理人: 张雅莉
地址: 519070 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 元器件 模型 参数 优化 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种元器件模型的参数优化方法,其特征在于,所述方法包括:

获取元器件在实际测试环境下的实测数据;

从所述元器件模型中提取参数作为基因,并建立初始种群,所述初始种群中的个体具有随机分配的基因值;

基于所述初始种群并利用遗传算法确定目标个体,所述目标个体的基因值即所述元器件模型优化后的参数;

其中,所述初始种群中个体的适应度,基于所述实测数据和在仿真测试环境下得到的仿真数据确定,所述仿真测试环境与所述实际测试环境一致;

单个个体的适应度基于多个时间下的适应度而定,单个时间下的适应度满足:

Q(d)=K1·A1+K2·A2;

其中,d表示时间,A1根据时间d的仿真特性参数的斜率与实测特性参数的斜率的比值而定,A2根据时间d的仿真特性参数与实测特性参数的比值而定,K1和K2为权重系数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述实测数据和所述仿真数据均包括时间以及与时间对应的特性参数;

所述特性参数包括电压值和/或电流值。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,

其中,K(d)表示时间d的实测电压斜率而k(dN)表示时间d的仿真电压斜率,或,K(d)表示时间d的实测电流斜率而k(dN)表示时间d的仿真电流斜率;

其中,A(d)表示时间d的实测电压幅值而A(dN)表示时间d的仿真电压幅值,或,A(d)表示时间d的实测电流幅值而A(dN)表示时间d的仿真电流幅值。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述初始种群并利用遗传算法确定目标个体,包括:

循环执行下述步骤:

在所述仿真测试环境下对所述初始种群中的个体进行仿真测试得到各个体的仿真数据,

基于所述实测数据和个体的仿真数据,确定个体的适应度,

根据个体的适应度从所述初始种群中选取亲本,

基于所述亲本和遗传算子生成新的个体以更新所述初始种群;

在所述循环中,如果满足结束条件,则从所述初始种群中选取适应度最高的个体作为所述目标个体。

5.一种元器件模型的参数优化装置,其特征在于,所述装置包括:

实测数据获取模块:用于获取元器件在实际测试环境下的实测数据;

初始化模块:用于从所述元器件模型中提取参数作为基因,并建立初始种群,所述初始种群中的个体具有随机分配的基因值;

优化模块:用于基于所述初始种群并利用遗传算法确定目标个体,所述目标个体的基因值即所述元器件模型优化后的参数;

其中,所述初始种群中个体的适应度,基于所述实测数据和在仿真测试环境下得到的仿真数据确定,所述仿真测试环境与所述实际测试环境一致;

单个个体的适应度基于多个时间下的适应度而定,单个时间下的适应度满足:

Q(d)=K1·A1+K2·A2;

其中,d表示时间,A1根据时间d的仿真特性参数的斜率与实测特性参数的斜率的比值而定,A2根据时间d的仿真特性参数与实测特性参数的比值而定,K1和K2为权重系数。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,

所述实测数据和所述仿真数据均包括时间以及与时间对应的特性参数;

所述特性参数包括电压值和/或电流值。

7.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于,

其中,K(d)表示时间d的实测电压斜率而k(dN)表示时间d的仿真电压斜率,或,K(d)表示时间d的实测电流斜率而k(dN)表示时间d的仿真电流斜率;

其中,A(d)表示时间d的实测电压幅值而A(dN)表示时间d的仿真电压幅值,或,A(d)表示时间d的实测电流幅值而A(dN)表示时间d的仿真电流幅值。

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