[发明专利]钝化方法

权利要求书

1.一种钝化方法，包括以下连续步骤：

a)提供堆叠(1)，所述堆叠依次包括基于晶体硅的衬底(2)、氧化硅层(3)和至少一个透明导电氧化物层(4)；

b)将氢化等离子体施加到堆叠(1)，在合适的温度下执行步骤b)，以使氢化等离子体的氢原子扩散到所述衬底(2)和氧化硅层(3)之间的界面(I)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)期间施加的氢化等离子体包括选自NH₃和H₂的至少一种气体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，执行步骤b)的温度为340℃至600℃，优选为400℃至550℃，更优选为400℃至500℃。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，在步骤b)期间以10^-3W.cm^-2至2.10^-2W.cm^-2、优选以5.10^-3W.cm^-2至10^-2W.cm^-2的功率密度施加所述氢化等离子体。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，在步骤b)期间在1.5Torr至2.5Torr、优选在1.7Torr至2.2Torr的压力下施加所述氢化等离子体。

6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，在包含选自Ar、N₂的惰性气体的气氛下进行步骤b)。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，其中，步骤b)进行5分钟至90分钟、优选10分钟至30分钟的时间。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，其中，在步骤a)期间提供的所述堆叠(1)的氧化硅层(3)的厚度小于或等于4nm，优选小于或等于2nm。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，其中，所述一个或更多个透明导电氧化物层(4)的总厚度为10nm至200nm。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其中，所述透明导电氧化物(4)选自氧化铟和氧化锌；所述氧化铟优选选自氧化铟锡、掺杂氟的氧化铟、氢化氧化铟、掺杂钨的氧化铟；所述氧化锌优选选自掺杂铝的氧化锌、掺杂硼的氧化锌。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述透明导电氧化物(4)选自氧化锌、掺杂铝的氧化锌、掺杂硼的氧化锌。

12.根据权利要求1至11之一所述的方法，其中，步骤a)包括步骤a₁)，所述步骤a₁)包括在所述一个或更多个透明导电氧化物层(4)上形成氧化铝层(5)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，执行步骤a₁)以使得所述氧化铝层(5)具有小于或等于20nm、优选为2nm至10nm的厚度。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，通过选自ALD、物理气相沉积和化学气相沉积的沉积技术执行步骤a₁)。

15.根据权利要求1至14之一所述的方法，其中，执行步骤a)，使得在所述氧化硅层(3)和所述一个或更多个透明导电氧化物层(4)之间插入多晶硅层(6)。