[发明专利]蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置在审
| 申请号： | 202010607561.3 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112151387A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 半导体 装置 制法 产品 | ||
1.一种蚀刻处理方法，其特征在于，使用包含蚀刻液的雾化液滴对蚀刻对象物进行蚀刻处理，蚀刻处理温度为高于200℃的温度。
2.根据权利要求1所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻对象物至少包含铝或/和镓。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻对象物具有刚玉型结构。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻液包含溴。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻液包含氢氧化物。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻液包含碱金属或碱土类金属。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，所述蚀刻处理温度为400℃以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻处理方法，其中，所述雾化液滴为雾化所述蚀刻液而使液滴悬浮，然后使用载气来进行运送的所述雾化液滴。
9.根据权利要求8所述的蚀刻处理方法，其中，所述载气是非活性气体。
10.一种半导体装置的制造方法，使用蚀刻处理方法制造半导体装置，其中，所述蚀刻处理方法是权利要求1～9中任一项所述的蚀刻处理方法。
11.一种产品的制造方法，使用蚀刻处理方法制造产品，其中，所述蚀刻处理方法是权利要求1～9中任一项所述的蚀刻处理方法。
12.一种蚀刻处理装置，其特征在于，具备：雾化部，通过雾化蚀刻液而使液滴悬浮来生成雾化液滴；运送部，通过载气运送由所述雾化部产生的雾化液滴；以及蚀刻部，通过该雾化液滴对蚀刻对象物进行蚀刻，
所述蚀刻部具备在高于200℃的温度下对所述蚀刻对象物进行加热的加热器。
13.根据权利要求12所述的蚀刻处理装置，其中，所述蚀刻部具备在400℃以上的温度下对所述蚀刻对象物进行加热的加热器。
14.根据权利要求12或13所述的蚀刻处理装置，其中，所述加热器是加热板。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的蚀刻处理装置，其中，所述蚀刻部具有使所述雾化液滴滞留的滞留单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
