[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010607629.8 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834383A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杜建男;叶玉隆;林杏芝;黄建彰;陈世雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供半导体层，所述半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
在所述半导体层的所述第一表面上形成器件层，所述器件层包括多个感光区域；
在将所述器件层形成在所述半导体层的所述第一表面上之后，将所述器件层接合到衬底的表面上；
在将所述器件层接合到衬底的表面上之后，在所述半导体层的所述第二表面上执行减薄工艺；
在将所述器件层接合到衬底的表面上之后，通过去除所述半导体层的部分在所述半导体层的所述第二表面上形成多个微结构；
形成介电层以填充任何两个邻近的微结构之间的间隙，其中，所述介电层具有与微结构相对的平坦表面；以及
在所述介电层的所述平坦表面上形成滤色镜层。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，提供所述衬底的操作包括：由硅或锗形成所述半导体层。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，使用光刻工艺和蚀刻工艺来执行形成所述微结构的操作。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行形成所述微结构的操作以使每个微结构都具有三角形、梯形或弧形的截面形状。
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行形成所述微结构的操作，以使任何两个邻近的微结构相互邻接。
6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行形成所述微结构的操作，以使任何两个邻近的微结构相互分离。
7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：在所述滤色镜层上形成多个微透镜。
8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行形成所述微结构的操作，以形成具有大于λ/2.5的高度的每个微结构，λ代表入射光的波长。
9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，执行形成所述微结构的操作，以形成所述微结构中的任何两个相邻的微结构之间的间距大于λ/2，λ表示入射光的波长。
10.一种用于感测入射光的半导体器件，所述半导体器件包括：
器件层；
半导体层，所述半导体层上具有多个微结构，并且每个所述微结构具有倾斜的侧壁；
传感器元件，位于所述半导体层的所述微结构下方并且被配置为感测入射光；以及
介电层，位于所述半导体层的所述微结构上方；
彩色滤色镜层，位于所述介电层上方；
微透镜，位于所述彩色滤色镜层上方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
