[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010608121.X | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN112186003A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 张美;权度县;李玟贞 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
衬底;
多个晶体管,所述多个晶体管布置在所述衬底上;以及
多层绝缘膜,所述多层绝缘膜布置在所述晶体管上,
其中,所述多层绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜,
所述多层绝缘膜包括:
第一区,所述第一区中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜在与所述衬底垂直的方向上彼此重叠;以及
第二区,所述第二区中布置有所述第一绝缘膜,
所述第一区与所述多个晶体管重叠,并且
所述第二绝缘膜的模量低于所述第一绝缘膜的模量。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二绝缘膜设置为多个,且与所述晶体管重叠并且彼此被间隔开,并且
所述第一绝缘膜布置在所述第二绝缘膜之间并且位于所述第二绝缘膜的上表面上。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二区在与所述衬底垂直的所述方向上不与所述晶体管重叠。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘膜的所述模量为所述第二绝缘膜的所述模量的5至30倍。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘膜的所述模量为80GPa至150GPa。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二绝缘膜的所述模量为5GPa至10GPa。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘膜包括无机材料,并且所述第二绝缘膜包括有机材料。
8.一种显示装置,包括:
衬底;
多个晶体管,所述多个晶体管布置在所述衬底上;
层间绝缘膜,所述层间绝缘膜布置在所述晶体管上;以及
多层绝缘膜,所述多层绝缘膜布置在所述层间绝缘膜上,
其中,所述多层绝缘膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜,
所述多层绝缘膜包括与所述晶体管重叠的第一区和不与所述晶体管重叠的第二区,
所述第二绝缘膜在所述第一区中与所述层间绝缘膜接触,
所述第一绝缘膜在所述第二区中与所述层间绝缘膜接触,并且
所述第一绝缘膜的模量大于所述第二绝缘膜的模量。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘膜的所述模量为所述第二绝缘膜的所述模量的5至30倍。
10.如权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘膜的所述模量为80GPa至150GPa,并且所述第二绝缘膜的所述模量为5GPa至10GPa。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的