[发明专利]一种探测光电材料微区光电性能的方法

权利要求书

1.一种探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，可选用光纤微探针法，包括以下步骤：

步骤S1：选用乙腈和0.1摩尔/升的四丁基铵六氟磷酸盐配置成支撑电解质，然后采用0.05摩尔/升的乙基紫精二高氯酸盐或二茂铁为氧化或还原剂，采用银/硝酸银电极为参比电极，铂电极为对电极，构成光电化学反应池；

步骤S2：将待测的光电薄膜材料固定在所述光电化学反应池底部，将扫描电化学显微镜系统中三电极体系依次与所述银/硝酸银电极、所述铂电极、和所述待测的光电薄膜材料工作电极相连接；同时，光纤微探针与所述扫描电化学显微镜移动平台相连接，组成精准控制扫描移动平台；

步骤S3：通过所述扫描电化学显微镜精准控制移动使得所述光纤微探针靠近所述待测的光电薄膜材料表面，并保持在2-10微米的距离；

步骤S4：打开光源，通过所述光纤微探针将一定强度和波长的光照射到所述待测的光电薄膜材料上，并通过所述扫描电化学显微镜控制所述光纤微探针在所述待测的光电薄膜材料表面匀速扫描，收集微区光电化学反应信号，形成不同区域光电化学信号分布图。

2.一种探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，可选用微电级探针法，包括以下步骤：

步骤T1：选用乙腈和0.1摩尔/升的四丁基铵六氟磷酸盐配置成支撑电解质，然后采用0.05摩尔/升的乙基紫精二高氯酸盐或二茂铁为氧化或还原剂，采用微电极为工作电极，采用银/硝酸银为参比电极、所述待测的光电薄膜材料为对电极，构成光电化学测试池；

步骤T2：将所述微电极探针与所述扫描电化学显微镜移动平台相连接，组成精准控制扫描移动平台，并通过所述扫描电化学显微镜精准控制移动使得所述微电极探针靠近所述待测的光电薄膜材料表面，并保持在1-10微米的距离；

步骤T3：打开所述光源，对所述微电极探针工作电极施加光电反应产物需要的氧化或还原电位，并通过所述扫描电化学显微镜控制所述微电极探针在所述待测的光电薄膜材料表面匀速扫描，收集微区光电化学反应信号，形成不同区域光电化学信号分布图。

3.如权利要求1与权利要求2所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤S1与步骤T1中，C₂H₃N-C₁₆H₃₆NPF₆-C₁₄H₁₈Cl₂N₂O₈电解质被配置为用于探测P型光电材料，而C₂H₃N-C₁₆H₃₆NPF₆-C₁₀H₁₀Fe电解质被配置为用于探测N型光电材料。

4.如权利要求1所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤S2中的所述光纤维探针直径为3-15微米。

5.如权利要求2所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤T1中的所述微电极直径为1-20微米。

6.如权利要求5所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤T1中的所述微电极可以被配置为铂电极。

7.如权利要求6所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤T1中的所述微电极可以被配置为采用二氧化硅玻璃包覆制作的微圆盘电极。

8.如权利要求4所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤S4中，通过所述待测的光电薄膜材料工作电极收集微区光电化学反应信号。

9.如权利要求7所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，步骤T3中，通过所述微电极收集微区光电化学反应信号。

10.如权利要求8和权利要求9所述的探测光电材料微区光电性能的方法，其特征在于，可以测量出所述待测的光电薄膜材料微区的不同表面微观形貌对应的光响应，同时可探测晶界及不同晶粒的光响应差异。