[发明专利]一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法及金刚石/铝复合材料有效
| 申请号： | 202010608324.9 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111732100B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 杨武霖;李想军;周灵平;朱家俊;符立才;李德意 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01B32/28 | 分类号： | C01B32/28;C01B32/984;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;胡凌云 |
| 地址： | 410083 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 金刚石 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、通过薄膜沉积技术在金刚石颗粒表面沉积金属铝薄膜，获得金刚石@Al颗粒；
S2、通过薄膜沉积技术在S1获得的金刚石@Al颗粒表面沉积硅薄膜，获得金刚石@Al@Si颗粒；
S3、将S2获得的金刚石@Al@Si颗粒于真空条件下，以≤15℃/min的速率升温至750-1000℃，保温0.5-3h后，冷却，获得碳化硅包覆金刚石复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1之前，还包括对金刚石颗粒进行清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S1中，金属铝薄膜的厚度为10-1000nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中，硅薄膜的厚度为10-1000 nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，薄膜沉积技术包括磁控溅射、蒸发镀膜、化学气相沉积、电镀中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S3中，升温速率为5-10℃/min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S3中，升温至750-900℃，保温0.75-1.5h。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S3中，将S2获得的金刚石@Al@Si颗粒于真空条件下进行热处理，控制真空度小于1Pa。
9.一种金刚石/铝复合材料，其特征在于，包含如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备而成的碳化硅包覆金刚石复合材料；将所述碳化硅包覆金刚石复合材料与金属铝基体通过熔渗法制备出金刚石/铝复合材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010608324.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
