[发明专利]电容屏和电子设备在审

专利信息
申请号: 202010608883.X 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111814632A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 詹小舟 申请(专利权)人: 维沃移动通信有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 吴秀娥
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电容屏,其特征在于,所述电容屏由多个像素点组成,所述像素点包括:

互电容,包括相对设置的第一电极和第二电极,其中,第二电极为电容屏的指纹接触电极,且所述第一电极连接在所述电容屏的电源端;

复位开关,所述复位开关连接在所述电容屏的电源端与第二电极之间;

源跟随器,所述源跟随器的输入端与所述第二电极连接,所述源跟随器的输出端为所述像素点的指纹信号输出端,所述源跟随器的电源端与所述电容屏的电源端连接;

第一控制单元,所述第一控制单元的第一开关控制信号输出端与所述源跟随器的控制端连接;

第二控制单元,所述第二控制单元的第二开关控制信号输出端与所述复位开关的控制端连接。

2.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,所述源跟随器包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述复位开关为第三薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管的漏极作为所述源跟随器的输出端,所述第一薄膜晶体管的栅极作为所述源跟随器的控制端,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接;

所述第二薄膜晶体管的栅极作为所述源跟随器的输入端,所述第二薄膜晶体管的源极作为所述源跟随器的电源端;

所述第三薄膜晶体管的栅极作为所述复位开关的控制端,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二电极连接,所述第三薄膜晶体管的源极与所述电容屏的电源端连接。

3.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,所述源跟随器包括包括:第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管,所述复位开关为PMOS管;

所述PMOS管的源极与所述电容屏的电源端连接,所述PMOS管的栅极作为所述复位开关的控制端,所述PMOS管的漏极与所述第二电极连接;

所述第四薄膜晶体管的栅极作为所述源跟随器的控制端,所述第四薄膜晶体管的漏极作为所述源跟随器的输出端,所述第四薄膜晶体管的源极与所述第五薄膜晶体管的漏极连接;

所述第五薄膜晶体管的栅极作为所述源跟随器的输入端,所述第五薄膜晶体管的源极与所述电容屏的电源端连接。

4.根据权利要求3所述的电容屏,其特征在于,所述第一控制单元与所述第二控制单元为同一控制单元。

5.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,不同像素点中的第一电极相互导通,以及不同像素点中的第二电极互相独立。

6.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,相邻两像素点的间隔为5um;所述像素点的长和宽相同,且尺寸为与30um至80um之间。

7.根据权利要求1所述电容屏,其特征在于,所述源跟随器的输入端与所述复位开关的连接所述第二电极的一端,通过所述第一电极的通孔与所述第二电极连接。

8.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,所述电容屏中不同像素点的所述复位开关的控制端,与同一所述第二控制单元的第二开关控制信号的输出端连接。

9.根据权利要求1所述的电容屏,其特征在于,所述电容屏还包括处理单元;

所述处理单元根据所述像素点输出端输出的指纹信号,确定对应像素处是否存在指纹信息。

10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括权利要求1-9任一项所述的电容屏。

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