[发明专利]转移管的垂直栅及CMOS传感器的形成方法

权利要求书

1.一种转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成沟槽；

在所述沟槽内和所述衬底上形成至少两层隔离层和至少两层栅极，至少两层所述隔离层间隔设置和至少两层所述栅极间隔设置，第一层隔离层覆盖所述沟槽的底部、所述沟槽的侧壁以及部分所述衬底的表面，最后一层栅极覆盖相邻的隔离层和填充所述沟槽，多层所述栅极连通，多层所述栅极和多层所述隔离层组成转移管的垂直栅；形成每层栅极的过程中均包括进行掺杂离子的注入；

在所述沟槽内和所述衬底上形成两层隔离层和两层栅极，两层隔离层分别是第一隔离层和第二隔离层，两层栅极分别是第一栅极和第二栅极，所述第一层隔离层覆盖所述沟槽的底部、所述沟槽的侧壁以及部分所述衬底的表面，所述第一栅极覆盖所述第一隔离层，所述第二隔离层覆盖位于所述沟槽底部和所述沟槽侧壁的所述第一栅极以及部分覆盖位于所述衬底上的所述第一栅极，所述第二栅极覆盖所述第二隔离层和所述第二隔离层未覆盖的所述第一栅极，所述第一栅极和所述第二栅极连通。

2.如权利要求1所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内和所述衬底上形成两层隔离层和两层栅极的方法包括：

形成覆盖所述沟槽底部、所述沟槽侧壁和所述衬底表面的第一隔离层；

在所述第一隔离层上形成覆盖所述第一隔离层的第一多晶硅层，并且向所述第一多晶硅层注入掺杂离子形成第一栅极；

在所述第一栅极上形成覆盖位于所述沟槽底部和所述沟槽侧壁的所述第一栅极以及部分覆盖位于所述衬底上的所述第一栅极的第一隔离层；

在所述第二隔离层上形成覆盖所述第二隔离层和所述第二隔离层未覆盖的所述第一栅极的第二多晶硅层，并且向所述第二多晶硅层注入掺杂离子形成第二栅极。

3.如权利要求2所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，在形成所述第二栅极之后，所述转移管的垂直栅的形成方法还包括：在所述第二栅极上依次形成第三隔离层和控制栅。

4.如权利要求3所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层、所述第二隔离层和所述第三隔离层的材料均为氧化物。

5.如权利要求2所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为65埃～85埃；所述第二隔离层的厚度为50埃～80埃。

6.如权利要求2所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度小于所述第二多晶硅层的厚度。

7.如权利要求6所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，第一多晶硅层的厚度为100埃～300埃；第二多晶硅层的厚度为700埃～900埃。

8.如权利要求2所述的转移管的垂直栅的形成方法，其特征在于，向所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层注入的离子相同。

9.一种垂直栅CMOS传感器的形成方法，其特征在于，包括：

在该衬底上形成P阱以及位于P阱中横向间隔的两个N+区；

在所述衬底中形成光电二极管，与所述光电二极管相邻的一个所述N+区形成浮动扩散点；

在所述光电二极管与所述浮动扩散点之间形成具有如权利要求1-8任一项所述的转移管的垂直栅的形成方法而制成的垂直栅的转移管，所述垂直栅的深度延伸至所述光电二极管所在的深度；

形成位于所述两个N+区之间的复位管。