[发明专利]显示装置、显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202010610179.8 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN113937131A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 于洋;曹方旭;王品凡;李文强;王博;王景泉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其中,包括:
柔性衬底;
显示层,设于所述柔性衬底一侧,且包括拉伸区,所述拉伸区包括多个间隔分布的像素岛以及设于所述像素岛之间的通孔;所述显示层包括像素定义层和设于所述像素定义层背离所述柔性衬底的表面的环形的阻挡坝,所述像素定义层限定出多个发光单元,所述阻挡坝位于所述像素定义层对应于所述像素岛的区域,且围绕多个所述发光单元;
封装层,覆盖于所述显示层背离所述柔性衬底的表面,且包括有机层,所述有机层位于所述拉伸区的区域限定于所述阻挡坝围绕的环形区域内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述显示层还包括:
驱动层,设于所述柔性衬底与所述像素定义层之间;
第一电极层,设于所述驱动层背离所述柔性衬底的表面,且至少包括多个第一电极,所述拉伸区设有多个所述第一电极;所述像素定义层具有露出所述第一电极的多个开口;
发光材料层,填充于各所述开口内,且与所述第一电极接触;
第二电极层,覆盖所述像素定义层、所述发光材料层和所述阻挡坝,且在对应于所述阻挡坝的区域向背离所述驱动层的方向凸起,形成环形的凸棱,所述有机层位于所述拉伸区的区域限定于所述凸棱围绕的环形区域内。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述凸棱的内环面和外环面在径向上的间距为3μm-7μm;所述凸棱的内环面在所述像素定义层上的正投影与位于所述凸棱内的所述发光单元的边缘的最小距离为1μm-5μm。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述显示层还包括与所述拉伸区邻接的非拉伸区,且所述非拉伸区包括过渡区和主显示区,所述过渡区分隔于所述主显示区和所述拉伸区之间;
所述过渡区设有至少一个阻挡槽,所述有机层位于所述过渡区的区域至少部分位于所述阻挡槽内。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述像素定义层位于所述过渡区的区域设有凹槽,所述第二电极层在对应于所述凹槽的区域形成与所述凹槽匹配的所述阻挡槽。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述发光单元被划分为多个像素,所述像素包括多个发光单元,所述拉伸区、所述过渡区和所述主显示区均具有阵列分布的多个所述像素;
所述发光单元包括对应于所述开口的所述第一电极层、所述发光材料层和所述第二电极层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述过渡区和所述拉伸区的所述像素的密度相同,且小于所述主显示区的所述像素的密度。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述发光单元包括蓝色发光单元、绿色发光单元和红色发光单元;所述拉伸区和所述过渡区的所述像素为第一像素,所述主显示区的所述像素为第二像素;
所述第一像素包括一个红色发光单元、一个绿色发光单元和一个蓝色发光单元;所述第二像素包括一个红色发光单元、两个绿色发光单元和一个蓝色发光单元。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,在所述第一像素中,所述红色发光单元和所述蓝色发光单元位于同一行,所述绿色发光单元与所述红色发光单元位于不同行,且位于所述红色发光单元和所述蓝色发光单元之间;
在位于同一行的所述第一像素中,所述红色发光单元和所述蓝色发光单元位于同一行,所述绿色发光单元位于同一行;
一行所述第一像素中的一行所述发光单元与一行所述第二像素中的一行所述发光单元位于同一行;
在位于同一列的所述第一像素和所述第二像素中,颜色相同的所述发光单元位于同一列。
10.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述阻挡槽的数量为多个,且划分为至少一个阻挡单元,所述阻挡单元包括沿列方向间隔排列的多个所述阻挡槽;所述阻挡单元设于各列所述像素之间的空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的