[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成硼扩散层及硼硅玻璃层；

(2)对所述硅片进行背面刻蚀后进行氧化，形成隧穿氧化层；

(3)在所述隧穿氧化层表面沉积非晶硅层；

(4)去除所述硅片正面绕镀的非晶硅层；

(5)对所述非晶硅层进行磷掺杂，形成掺杂型非晶硅层及磷硅玻璃层；

(6)去除所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在步骤(6)之后，所述方法还包括：

(7)在所述硅片的正面和/或背面制备钝化层；

(8)对所述硅片进行丝网印刷并烧结形成电极。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，包括：

用配制好的混合酸清洗所述硅片正面绕镀的非晶硅层100～120秒，所述混合酸包括体积占比为10～12％的氢氟酸溶液、体积占比为45～50％的硝酸溶液、体积占比为10～13％的硫酸溶液及体积占比为25～30％的水。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述混合酸的温度控制在8～12℃。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(6)，包括：

用配制好的氢氟酸溶液清洗所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层100～120秒，所述氢氟酸的体积占比为20～25％及体积占比为75～80％的水。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中的氢氟酸的温度控制在20～25℃。

7.根据权利要求1至6任一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(2)，包括：

采用硝酸氧化法、臭氧水氧化法或热氧化法对所述硅片进行背面刻蚀之后进行氧化，形成隧穿氧化层。

8.根据权利要求1至6任一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，包括：

采用低压化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、常压化学气相淀积中的任意一种方法在所述隧穿氧化层的表面沉积非晶硅层。

9.根据权利要求1至6任一项所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在步骤(1)之前，所述方法还包括：

对所述硅片的正面和背面进行制绒处理。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1至9任一项所述的太阳能电池制备方法得到，所述太阳能电池包括由上至下依次层叠的第一电极、第二钝化层、第一钝化层、硼扩散层、硅片、隧穿氧化层、掺杂型非晶硅层、第三钝化层、第二电极。