[发明专利]基于异质驱动单元的微型热力阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设有呈阵列状布置的多个微驱动器，所述微驱动器包括设于衬底表面上的薄膜电阻加热器以及导热硅柱；

所述薄膜电阻加热器的表面设有聚合物驱动结构层，且所述导热硅柱内嵌于聚合物驱动结构层的内部。

2.根据权利要求1所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，

所述薄膜电阻加热器为Ti薄膜电阻加热器，所述衬底上设有薄膜电阻加热器的电连接端子，所述Ti薄膜电阻加热器和实时电连接端子之间的导电膜引线为由Al薄膜、Ti薄膜构成的双层结构，所述Al薄膜作为导电层沉积在Ti薄膜上。

4.根据权利要求3所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，所述Ti薄膜电阻加热器为由Ti薄膜构成弯曲的蛇形走线结构。

5.根据权利要求1所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，所述导热硅柱为采用干法刻蚀制备后与衬底1阳极键合连接。

6.根据权利要求1所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，所述聚合物驱动结构层为环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的基于异质驱动单元的微型热力阵列，其特征在于，所述阵列状布置为环形阵列、线性阵列、放射性阵列中的任一种。

8.一种前述基于异质驱动单元的微型热力阵列的制备方法，其特征在于，包括：

S1、将衬底进行清洗和干燥处理；

S2、在衬底上制备薄膜电阻加热器；

S3、采用掩膜制备带有导热硅柱的晶圆片；

S4、将带有薄膜电阻加热器的衬底、晶圆片进行键合；

S5、按照制备带有导热硅柱的晶圆片的原有的掩膜进行晶圆片的背面刻蚀，直到晶圆片被完全刻蚀穿；

S6、在衬底的薄膜电阻加热器和导热硅柱上方涂覆聚合物形成聚合物驱动结构层，在通过掩模版对聚合物驱动结构层进行光刻后，在显影液中进行显影处理；

S 7、进行激光划片切割得到可用于和待调控器件进行集成的成品。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，S 2的详细步骤包括：

S21、通过磁控溅射工艺在衬底上沉积一层Ti薄膜，再通过磁控溅射工艺在Ti薄膜上再沉积一层Al薄膜；

S22、在Al薄膜表面旋涂光刻胶，利用第一掩模版进行光刻图形化处理，先在铝腐蚀液中刻蚀除去Al薄膜的多余部分，再在钛腐蚀液中刻蚀除去Ti薄膜的多余部分，使得制备形成由Al薄膜、Ti薄膜构成的双层结构；

S23、利用第二掩模版进行光刻图形化处理，在所述由Al薄膜、Ti薄膜构成的双层结构中薄膜电阻加热器对应位置处去除多余的Al薄膜形成作为薄膜电阻加热器的Ti薄膜电阻加热器。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，S 3的详细步骤包括：

S31、准备单晶硅制成的晶圆片，所述晶圆片进行双面甩胶、光刻；

S32、对晶圆片进行背面光刻，并制备掩膜；

S33、采用掩膜对晶圆片进行单面干法刻蚀直至预定的深度值。