[发明专利]一种5G陶瓷滤波器膜层材料及其制备方法

权利要求书

1.一种5G陶瓷滤波器膜层材料，其特征在于，所述膜层材料为四层复合结构，基体为陶瓷，中间过渡层依次为合金层和连接层，表层为银层；其中，

所述合金层为以合金金属为阴极，利用多弧靶对陶瓷基体进行磁控溅射沉积而得；

所述连接层为以Mo、Cu或Cr为阴极，利用圆柱多弧靶在所述合金层上沉积而得；

所述银层以银为阴极，利用多弧靶和圆柱靶在所述连接层上进行银金属沉积制得。

2.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料，其特征在于，所述合金层的沉积厚度为0.1～0.2μm；所述连接层的沉积厚度为0.1～1μm；所述银层的沉积厚度为3～8μm。

3.一种如权利要求1或2所述的5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述方法即为一种5G陶瓷滤波器表面金属沉积的方法，具体包括以下步骤：

I、对陶瓷基体表面进行湿喷砂、除油除脂处理，随后对处理后的基体依次浸入丙酮、酒精进行超声波清洗，备用；

II、在步骤(I)清洗后的陶瓷基体表面上，以合金金属为阴极，利用多弧靶磁控溅射制备合金层；

III、以Mo、Cu或Cr为阴极，利用圆柱多弧靶在步骤(II)制备的合金层表面沉积制备连接层；

IV、以银为阴极，利用多弧靶和圆柱靶在步骤(III)制备的连接层上进行银金属沉积制备银层，以最终制得所述5G陶瓷滤波器膜层材料。

4.根据权利要求3所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(I)中，对陶瓷基体表面湿喷时砂的粒径为200～500目，湿喷处理时间为1～10s/片。

5.根据权利要求3所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(II)中，多弧靶的起弧电流为80～150A，溅射清洗时间为1～60min，及沉积厚度为0.1～0.2μm。

6.根据权利要求3所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(III)中，圆柱多弧靶的起弧电流为100～200A，沉积时间为1～30min，沉积厚度为0.1～1μm；且所述圆柱多弧靶的直径为60mm，长为1000mm。

7.根据权利要求3所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(IV)中，多弧靶的起弧电流为80～150A，圆柱靶的起弧电流为1～20A，及沉积时间为1～60min，沉积厚度为3～8μm。

8.根据权利要求7所述的一种5G陶瓷滤波器膜层材料的制备方法，其特征在于，所述多弧离子镀过程中的偏压为高功率脉冲偏压系统，且电压为0～3KV，峰值功率为200KW，及占空比为0～1/100。