[发明专利]MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，包括：

设定全局工艺角模型的参数公式如下：其中：global为全局工艺角模型参数值，total为总工艺角模型参数值，local为局域失配模型参数值，A为拟合参数；

通过MOSFET子电路模型方式构建全局工艺角模型；

通过经典平方律的关系计算得到的全局工艺角模型的目标，并确定拟合参数的值。

2.如权利要求1所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述全局工艺角模型的参数包括：阈值电压、迁移率、电学等效栅氧厚度、沟道长度偏移量以及沟道宽度偏移量。

3.如权利要求1所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，拟合参数与器件的工艺相关，不同的工艺，拟合参数不同。

4.如权利要求2所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述经典平方律关系为：

其中：total代表总失配，global代表全局失配，local代表局域失配，Sigma代表标准差。

5.如权利要求4所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述阈值电压的全局工艺角模型的参数公式为：

其中：dvth0_global为阈值电压的全局工艺角模型参数值；dvth0_total为阈值电压的总工艺角模型参数值、dvth0_local为阈值电压的局域失配模型参数值。

6.如权利要求4所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述迁移率的全局工艺角模型的参数公式为：

其中：dvth0_global为迁移率的全局工艺角模型参数值；dvth0_total为迁移率的总工艺角模型参数值、dvth0_local为迁移率的局域失配模型参数值。

7.如权利要求4所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述电学等效栅氧厚度的全局工艺角模型的参数公式为：

其中：dToxe_global为电学等效栅氧厚度的全局工艺角模型参数值；dToxe_total为电学等效栅氧厚度的总工艺角模型参数值、dToxe_local为电学等效栅氧厚度的局域失配模型参数值。

8.如权利要求4所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述沟道长度偏移量的全局工艺角模型的参数公式为：

其中：dxl_global为沟道长度偏移量的全局工艺角模型参数值；dxl_total为沟道长度偏移量的总工艺角模型参数值、dxl_local为沟道长度偏移量的局域失配模型参数值。

9.如权利要求4所述的MOSFET器件的全局工艺角模型的建模方法，其特征在于，所述沟道宽度偏移量的全局工艺角模型的参数公式为：

其中：dxw_global为沟道宽度偏移量的全局工艺角模型参数值；dxw_total为沟道宽度偏移量的总工艺角模型参数值、dxw_local为沟道宽度偏移量的局域失配模型参数值。