[发明专利]一种高温原位紫外探测系统在审
申请号: | 202010611852.X | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111725196A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 汪炼成;彭程;黄强 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/16;H01L31/0304;G01J1/42;G01J1/44 |
代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 周咏;林毓俊 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高温 原位 紫外 探测 系统 | ||
1.一种高温原位紫外探测系统,其特征在于,包括有散热模块和原位日盲紫外探测器;散热模块会组成一个腔体,原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子;其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部,SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板与散热模块的焊料层连接;紫外探测器芯片位于腔体外部,紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板固定散热模块的顶部;散热模块包括有单面散热模块和双面散热模块;SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。
2.根据权利要求1所述的高温原位紫外探测系统,其特征在于,所述的单面散热模块,包括有底部的单面散热层、树脂腔体外壳以及腔体内部填充的硅胶,其中底部为单面散热层从下到上为Al基金刚石基板和覆铜陶瓷基板DBC,覆铜陶瓷基板DBC通过焊料层与高温原位日盲紫外探测器的DBC板连接。
3.根据权利要求1所述的高温原位紫外探测系统,其特征在于,所述的双面散热膜块,包括有底部和顶部的散热层以及两个散热层构成的腔体内填充硅胶,底部散热层从下到上为Al基金刚石基板和覆铜陶瓷基板DBC,顶部的散热层上到下为Al基金刚石基板和覆铜陶瓷基板DBC,顶部散热层和底部散热层的覆铜陶瓷基板DBC分别通过焊料层与高温原位日盲紫外探测器的上表面和下表面连接。
4.根据权利要求1所述的高温原位紫外探测系统,其特征在于,所述的电路互连的方式包括有引线键合、印刷电路和倒装焊接中的一种或多种;原位日盲紫外探测器中有四块DBC板;紫外探测器芯片为AlGaN基紫外探测芯片。
5.根据权利要求3或4所述的高温原位紫外探测系统,其特征在于,所述的散热模块为双面散热模块,电路互连的方式为全焊接无引线的高温原位紫外探测系统的结构为:底部散热层由下到上为Al基金刚石基板和覆铜陶瓷基板DBC,覆铜陶瓷基板DBC上为焊料层;
焊料层上有第一块DBC板上,在第一块DBC板上分别焊接FWD芯片和SiCMOSFET芯片,接着在FWD芯片上表面和SiCMOSFET芯片的部分上表面焊接第二块DBC板,SiCMOSFET芯片另一部分上表面焊接第三块DBC板,并在第三块DCB板上引出栅极至顶部散热层外,第二块与第三块DBC板之间不接触;
在第二块和第三块DBC板上通过焊料层与顶部散热层连接,顶部散热层由上到下为Al基金刚石基板和覆铜陶瓷基板DBC;
在顶部散热层的Al基金刚石基板引出的栅极位置安装第四块DCB板,栅极与第四块DCB板是接触的,在第四块DCB板上焊接紫外探测芯片,并在紫外探测芯片顶部引出栅极端子;
在第一块DCB板上引出集电极及相应的端子,在第二块DCB板上引出发射电极及相应的端子;集电极端子和发射电极端子都在散热层组成腔体外面;在上述结构组成的腔体内填充硅胶,即获得高温原位紫外探测系统。
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