[发明专利]一种二极管的返工清洗工艺

权利要求书

1.一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

（1）筛选二极管中的不合格产品，挑选出来后等待返工；

（2）将待返工的半导体二极管材料除玻璃粉，将半导体二极管材料用去离子水浸泡，浸泡后对半导体二极管材料用清水进行冲洗；

（3）将冲洗后的半导体二极管材料放入超声波清洗机中超声清洗，超声清洗完后再次用清水进行冲洗；

（4）将经过二次冲洗后的半导体二极管材料放入异丙醇溶液，然后取出半导体二极管材料进行晾干；

（5）使用酸洗溶液，对晾干后的半导体二极管材料进行酸洗；

（6）将酸洗后的半导体二极管材料用清水进行冲洗，再放入超声波清洗机中超声清洗；

（7）将清洗后的半导体二极管材料进行点玻操作，梳料后涂抹玻璃，使二极管管芯钼柱处形成一球形的玻璃料附着层；

（8）将点玻后的半导体二极管材料的引线表面电镀一层金属保护膜；

（9）将电镀后的半导体二极管材料放到烤箱中在100～140度的环境下烘烤2.5～3小时；

（10）将烘烤后的半导体二极管材料从烤箱拿出，进行分类成品包装。

2.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（2）中的待返工的半导体二极管材料处于50～85℃的温度条件下在去离子水浸泡。

3.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（3）中超声波清洗机中超声清洗采用的清洗剂为去离子水。

4.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（4）中半导体二极管材料晾干放置在无尘室中进行。

5.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（5）中酸洗溶液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1：1：4～5混合而成，所使用磷酸浓度为65％～75％，所使用双氧水浓度为25％～30％，在70～80度温度下，将半导体二极管材料酸洗45～65秒。

6.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述半导体二极管材料酸洗为将酸洗溶液放入酸洗机中对半导体二极管材料进行酸钝化。

7.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（8）中电镀的金属保护膜为一层锡。