[发明专利]串并联磁路分置磁极型记忆电机有效

专利信息
申请号: 202010611950.3 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111769667B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 阳辉;葛永盛;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02K1/276 分类号: H02K1/276;H02K1/12
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 串并联 磁路 磁极 记忆 电机
【权利要求书】:

1.一种串并联磁路分置磁极型记忆电机,包括定子(1)、电枢绕组(2)、混合永磁转子(3)和转轴(4),所述电枢绕组(2)设置在定子(1)上,所述混合永磁转子(3)设置在定子(1)内侧,所述转轴(4)设置在混合永磁转子(3)内侧,其特征在于:所述混合永磁转子(3)包括转子铁心、三角形磁障(3.7),以及间隔设置的并联磁路型N极磁极、串联磁路型S极磁极;所述三角形磁障(3.7)均匀布置在转轴(4)四周,相邻的两个三角形磁障(3.7)上,其中一个设置有并联磁路型N极磁极,另一个设置有串联磁路型S极磁极;所述并联磁路型N极磁极和串联磁路型S极磁极的数量相等;

所述并联磁路型N极磁极包括两个并联永磁结构单元(3.5),其对称分布在相应的三角形磁障两侧;

所述并联永磁结构单元(3.5)包括第一高矫顽力永磁体(3.1)和第一低矫顽力永磁体(3.2),同一磁极中的两个第一高矫顽力永磁体(3.1)位于第一低矫顽力永磁体(3.2)的两侧,呈并联磁路设置;同一并联磁路型N极磁极下的两个第一低矫顽力永磁体(3.2)均沿径向充磁,方向相同;

所述串联磁路型S极磁极包括两个串联永磁结构单元(3.6),其对称分布在相应的三角形磁障(3.7)两侧;

所述串联永磁结构单元(3.6)包括第二高矫顽力永磁体(3.3)和第二低矫顽力永磁体(3.4),呈串联磁路设置;同一串联磁路型S极磁极下的两个第二低矫顽力永磁体(3.4)均沿径向充磁,方向相同。

2.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第二高矫顽力永磁(3.3)靠转轴放置。

3.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一低矫顽力永磁体(3.2)和相邻磁极的第二低矫顽力永磁体(3.4)充磁方向相反。

4.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一高矫顽力永磁体(3.1)和相邻磁极的第二高矫顽力永磁体(3.3)均沿径向充磁,方向相反。

5.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:同一磁极中,其第一/第二低矫顽力永磁体(3.2)/(3.4)的磁化方向与其第一/第二高矫顽力永磁体(3.1)/(3.3)的磁化方向相同时,电机处于正向磁化状态,反之,电机则处于反向磁化状态。

6.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一高矫顽力永磁体(3.1)和第二高矫顽力永磁体(3.3)均为钕铁硼永磁体。

7.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一低矫顽力永磁体(3.2)和第二低矫顽力永磁体(3.4)均为铝镍钴永磁体。

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