[发明专利]串并联磁路分置磁极型记忆电机有效
申请号: | 202010611950.3 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111769667B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 阳辉;葛永盛;林鹤云 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H02K1/276 | 分类号: | H02K1/276;H02K1/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211102 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串并联 磁路 磁极 记忆 电机 | ||
1.一种串并联磁路分置磁极型记忆电机,包括定子(1)、电枢绕组(2)、混合永磁转子(3)和转轴(4),所述电枢绕组(2)设置在定子(1)上,所述混合永磁转子(3)设置在定子(1)内侧,所述转轴(4)设置在混合永磁转子(3)内侧,其特征在于:所述混合永磁转子(3)包括转子铁心、三角形磁障(3.7),以及间隔设置的并联磁路型N极磁极、串联磁路型S极磁极;所述三角形磁障(3.7)均匀布置在转轴(4)四周,相邻的两个三角形磁障(3.7)上,其中一个设置有并联磁路型N极磁极,另一个设置有串联磁路型S极磁极;所述并联磁路型N极磁极和串联磁路型S极磁极的数量相等;
所述并联磁路型N极磁极包括两个并联永磁结构单元(3.5),其对称分布在相应的三角形磁障两侧;
所述并联永磁结构单元(3.5)包括第一高矫顽力永磁体(3.1)和第一低矫顽力永磁体(3.2),同一磁极中的两个第一高矫顽力永磁体(3.1)位于第一低矫顽力永磁体(3.2)的两侧,呈并联磁路设置;同一并联磁路型N极磁极下的两个第一低矫顽力永磁体(3.2)均沿径向充磁,方向相同;
所述串联磁路型S极磁极包括两个串联永磁结构单元(3.6),其对称分布在相应的三角形磁障(3.7)两侧;
所述串联永磁结构单元(3.6)包括第二高矫顽力永磁体(3.3)和第二低矫顽力永磁体(3.4),呈串联磁路设置;同一串联磁路型S极磁极下的两个第二低矫顽力永磁体(3.4)均沿径向充磁,方向相同。
2.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第二高矫顽力永磁(3.3)靠转轴放置。
3.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一低矫顽力永磁体(3.2)和相邻磁极的第二低矫顽力永磁体(3.4)充磁方向相反。
4.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一高矫顽力永磁体(3.1)和相邻磁极的第二高矫顽力永磁体(3.3)均沿径向充磁,方向相反。
5.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:同一磁极中,其第一/第二低矫顽力永磁体(3.2)/(3.4)的磁化方向与其第一/第二高矫顽力永磁体(3.1)/(3.3)的磁化方向相同时,电机处于正向磁化状态,反之,电机则处于反向磁化状态。
6.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一高矫顽力永磁体(3.1)和第二高矫顽力永磁体(3.3)均为钕铁硼永磁体。
7.根据权利要求1所述的串并联磁路分置磁极型记忆电机,其特征在于:所述第一低矫顽力永磁体(3.2)和第二低矫顽力永磁体(3.4)均为铝镍钴永磁体。
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