[发明专利]应用于刻蚀设备内的聚焦环、其形成方法及刻蚀设备在审
申请号: | 202010611986.1 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN111653469A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 孙磊;许任辉 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张彦敏 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 刻蚀 设备 聚焦 形成 方法 | ||
1.一种应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,包括:第一子聚焦环、第二子聚焦环以及连接件,连接件将第一子聚焦环和第二子聚焦环连接为一整体而构成用于刻蚀设备内的聚焦环,并使聚焦环具有一聚焦环中心通孔,其中第一子聚焦环与第二子聚焦环的导热系数不同。
2.根据权利要求1所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,第一子聚焦环和第二子聚焦环均包括一中心通孔,而使形成的聚焦环具有所述聚焦环中心通孔。
3.根据权利要求1所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,第一子聚焦环和第二子聚焦环的材质不同。
4.根据权利要求1所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,子聚焦环的个数大于两个,相邻子聚焦环之间通过连接件结合,其中至少两子聚焦环之间的材质不同。
5.根据权利要求1所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,连接件为粘合剂。
6.根据权利要求1或5任一项所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环,其特征在于,第一子聚焦环具有第一高度H1,第二子聚焦环具有第二高度H2,连接件将第一子聚焦环和第二子聚焦环沿其高度方向结合。
7.一种应用于刻蚀设备内的聚焦环的形成方法,其特征在于,包括:形成具有第一导热系数的第一子聚焦环,使第一子聚焦环具有一第一高度,且第一子聚焦环具有一中心通孔;形成具有第二导热系数的第二子聚焦环,使第二子聚焦环具有一第二高度,且第二子聚焦环具有一中心通孔;使用连接件将第一子聚焦环和第二子聚焦环沿其高度方向连接为一整体,而构成刻蚀设备内的聚焦环,并使聚焦环具有一聚焦环中心通孔。
8.根据权利要求7所述的应用于刻蚀设备内的聚焦环的形成方法,其特征在于,在形成第一子聚焦环的过程中,根据期望的聚焦环的导热系数得到第一高度,在形成第二子聚焦环的过程中,根据期望的聚焦环的导热系数得到第二高度。
9.一种刻蚀设备,其特征在于,包括:静电吸盘;聚焦环,设置在静电吸盘的周侧,并其下表面接触静电吸盘,聚焦环与静电吸盘共同承载晶圆,其中聚焦环包括第一子聚焦环、第二子聚焦环以及连接件,连接件将第一子聚焦环和第二子聚焦环连接为一整体而构成刻蚀设备内的聚焦环,并使聚焦环具有一聚焦环中心通孔,其中第一子聚焦环与第二子聚焦环的导热系数不同。
10.根据权利要求9所述的刻蚀设备,其特征在于,第一子聚焦环具有第一高度H1,第二子聚焦环具有第二高度H2,连接件将第一子聚焦环和第二子聚焦环沿其高度方向结合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010611986.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种两件式单体液压支柱
- 下一篇:一种导通孔内无缝衔接埋嵌铜柱方法