[发明专利]一种待机功耗低的MCU及其方法在审

专利信息
申请号: 202010613228.3 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN111880442A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 朱乐永;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 申请(专利权)人: 上海芯圣电子股份有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600 上海市松江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 待机 功耗 mcu 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种待机功耗低的MCU,其特征在于,包括上电复位电路POR、第一稳压器、带隙基准模块Bandgap、第二稳压器、欠压复位电路BOR、CPU和或门OR;所述CPU的输出端连接所述欠压复位电路BOR、第二稳压器和带隙基准模块Bandgap的使能输入端,所述CPU的输出连接所述第一稳压器的输入端,所述上电复位电路POR和所述欠压复位电路BOR的输出端连接所述或门OR输入端,所述或门OR的输出端连接所述CPU的输入端,所述带隙基准模块Bandgap的输出端连接所述欠压复位电路BOR和所述第二稳压器的输入端,所述第二稳压器的输出端和所述第一稳压器的输出端连接后接所述CPU的电源输入端。

2.根据权利要求1所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述第一稳压器包括输入端子、输出端子、输出晶体管、偏置电路、trim电路、基准电压电路和地端子,所述输出晶体管的漏极连接所述输入端子,所述输出晶体管的栅极连接所述基准电压电路,所述输出晶体管的源极连接所述输出端子,所述偏置电路连接于所述输入端子和所述基准电压电路之间,所述基准电压电路连接所述trim电路、所述偏置电路、所述地端子和所述输出晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述基准电压电路包括1个MOS管。

4.根据权利要求2所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述第二稳压器包括LDO。

5.根据权利要求1所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,还包括存储器、I/O。

6.如权利要求1-5任意一项所述的待机功耗低的MCU的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)芯片电源上电,在芯片电源上电到低于上电复位电路POR复位释放点前,上电复位电路POR复位,芯片处于复位状态;

2)在芯片电源上电到大于上电复位电路POR复位释放点后,上电复位电路POR复位释放,并且第一稳压器输出预稳压给CPU、数字逻辑使用;

3)在芯片电源上电到高于欠压复位电路BOR复位释放点后,欠压复位电路BOR复位释放,带隙基准模块Bandgap和LDO稳压器均可以正常工作,此时芯片处于正常模式;

4)芯片关闭带隙基准模块Bandgap、LDO稳压器和欠压复位电路BOR,此时CPU、数字逻辑电路的电源由第一稳压器提供,芯片进入低功耗模式。

7.根据权利要求1所述的一种降低待机功耗的方法,其特征在于,步骤3)还包括CPU读取第一稳压器的校准码并对第一稳压器进行输出校准。

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