[发明专利]一种C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片

权利要求书

1.一种C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，包括晶体管M1，所述晶体管M1的栅极通过电感L2与第一高通滤波网络的输出端连接，其源极分别与M1管第一自偏网络以及M1管第二自偏网络连接，其漏极通过微带线TL1与电流复用网络的输入端连接，所述第一高通滤波网络的输入端为低噪声放大器芯片的射频输入端RFIN；所述电流复用网络的输出端分别与电容C7的一端、并联负反馈网络的一端以及电源滤波网络连接，所述并联负反馈网络的另一端与电流复用网络连接，所述电容C7的另一端与第二高通滤波网络的输入端连接，所述第二高通滤波网络的输出端为低噪声放大器芯片的射频输出端RFOUT。

2.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述第一高通滤波网络包括电容C1和接地电感L1，所述电容C1的一端作为第一高通滤波网络的输入端，其另一端与接地电感L1连接，并作为第一高通滤波网络的输出端。

3.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述M1管第一自偏网络包括接地电阻R1和接地电容C2，所述接地电阻R1和接地电容C2均与晶体管M1的源极连接。

4.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述M1管第二自偏网络包括接地电阻R2和接地电容C3，所述接地电阻R2和接地电容C3均与晶体管M1的源极连接。

5.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述电流复用网络包括晶体管M2，所述晶体管M2的栅极通过微带线TL2分别与电阻R3的一端以及电容C4的一端连接，其源极通过微带线TL3分别与电感L4的一端以及接地电容C6连接，其漏极与微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端作为电流复用网络的输出端；所述电阻R3的另一端分别与电感L3的一端、电感L4的另一端以及接地电阻R4连接，所述电感L3的另一端与电容C4的另一端连接，并作为电流复用网络的输入端。

6.根据权利要求5所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述并联负反馈网络包括依次连接的电阻R5、电感L5以及电容C5，所述电阻R5的一端与电感L5的一端连接，其另一端通过微带线TL2与晶体管M2的栅极连接，所述电容C5的一端与电感L5的另一端连接，其另一端通过微带线TL4与晶体管M2的漏极连接。

7.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述电源滤波网络包括电感L6，所述电感L6的一端与电流复用网络的输出端连接，其另一端分别与电阻R7的一端、接地电容C9以及电源VDD连接，所述电阻R7的另一端与接地电容C8连接。

8.根据权利要求1所述的C波段超宽带高增益低噪声放大器芯片，其特征在于，所述第二高通滤波网络包括电容C10和接地电感L7，所述电容C10的一端作为第二高通滤波网络的输出端，其另一端与接地电感L7连接，并作为第二高通滤波网络的输入端。